80 W 885 nm Laserdioden-Einzelbalken-Array
Einzelbarren-Diodenlaser sind in unmontierten Laserdiodenbarren oder montiert in konduktiv oder aktiv gekühlten Gehäusen erhältlich. Die meisten Diodenbarren arbeiten im Wellenlängenbereich von 755 bis 860 nm oder zwischen 940 nm und 980 nm. Am auffälligsten sind die Wellenlängen 808 nm (zum Pumpen von Neodym-Lasern) und 940 nm (zum Pumpen von Yb:YAG). Eine weitere wichtige Wellenlänge liegt bei etwa 975–980 nm zum Pumpen von Erbium- oder Ytterbium-dotierten Hochleistungsfaserlasern und Verstärkern. Eine typische passiv gekühlte Diode wird auf einer CS-Halterung angeboten, einem Standardgehäuse, das mit einer Montagehalterung auf Basis eines thermoelektrischen Kühlers (TEC) kompatibel ist. Die CS-Halterung eignet sich für Quasi-CW- (QCW) und CW-Betrieb mittlerer Leistung. Für die aktive Wasserkühlung werden mikrokanalisierte Kühlkörper verwendet. Zur Erhöhung der Ausgangsleistung können mehrere Stäbe in horizontaler oder vertikaler Richtung gestapelt werden.

Überblick
Optionen:
Lot: Indium / AuSn
Kühlkörper: Cu / WCu90 / WCu85
Schnelle Achse kann je nach Wunsch kollimiert werden.
Merkmale:
AuSn-Hartlot-Montagetechnologie
Standardkonfiguration und kundenspezifisches Designpaket
Optimierte OE-Umwandlungseffizienz

Datenblatt:
Artikel-Nr.: CC885DL80
Artikelname: 80 W 885 nm CW-leitungsgekühlter Einzelbarren-Diodenlaser
| Optisch | |
| Mittenwellenlänge | 885 nm |
| Wellenlängentoleranz | ±10 nm |
| Arbeitsmodus | CW |
| Ausgangsleistung | 80W |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 35 Grad |
| Langsam Achse Divergenz (FWHM) | 8 Grad |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 82A |
| Schwellenstrom Ith | 12A |
| Betriebsspannung Vop | 1.85V |
| Effizienz der Energieumwandlung | 53% |
| Thermisch | |
| Betriebstemperatur | 15~30 Grad |
| Lagertemperatur | 0-55 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | -0.3nm/Grad |
| Kühlkörperkapazität | >100W |
Zeichnung:
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