350 mW 785 nm Butterfly-Laserdiode

350 mW 785 nm Butterfly-Laserdiode

Artikel-Nr.: FC785DL350/FS785DL350
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Beschreibung
Brandnew Technology, einer der führenden Diodenlaserhersteller und -lieferanten in China, verfügt über eine professionelle Fabrik, die hochwertige 350-mW-785-nm-Butterfly-Laserdioden herstellt und zu wettbewerbsfähigen Preisen verkauft. Willkommen beim Großhandel mit unseren in China hergestellten Produkten.

 

350 mW 785 nm Butterfly-Laserdiode


Hauptmerkmale:

Freiraum:

Hochleistungs-Einzelfrequenzausgang

Schmale spektrale Linienbreite (~100 kHz)

Stabilisiertes Ausgangsspektrum (< 0.007="" nm/0c)="">

Gaußscher TEM00-Raummodus

Zirkularisierter und kollimierter Ausgangsstrahl

Integrierter ESD-Schutz und Thermistor

Integrierter Laserlinienfilter

SMSR 70 dB mit Laserlinienfilter (40 dB ohne)


Fasergekoppelt:

Hochleistungs-Single-Mode-Ausgang (Single Spatial & SLM).

Ultraschmale spektrale Bandbreite (< 100="" khz)="">

Stabilisiertes Ausgangsspektrum (< 0.007="" nm/0c)="">

Hervorragende Strahlqualität (M^2 < 1,1)


PRIMÄRE ANWENDUNGEN

  • Raman-Spektroskopie

  • Analytische Instrumente

  • Biologische Forschung

    600mw 976nm

    350mW 638nm Butterfly Laser Diode

    Datenblatt

    Artikel-Nr.: FC785DL350/FS785DL350

    Optisch

    Mittlere Wellenlänge

    785nm

    Wellenlängentoleranz ±0,5 nm

    Ausgangsleistung

    350mW

    Spektralbreite FWHM 0.1nm
    Steigungseffizienz 0.7W/A

    Elektrisch

    Schwellenstrom
    0.2A

    Betriebsstrom

    0.8A

    Betriebsspannung

    2.2V

    PD <2000ua>
    Thermistor 10±5 Prozent/3450
    TEC
    2.5A/6.3V

    Thermal

    Testtemp.

    25 Grad

    Lagertemperatur.

    -20-50 Grad


    Zeichnung:

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