Fasergekoppelte Butterfly-Laserdiode mit PD und TEC
Merkmale:
- Die Wellenlängentoleranz beträgt ±0,5 nm
- Die Leistung ist optional von 100 mW bis 800 mW
- hermetisch abgedichtet in einem 14-Pin-Gehäuse
- gute Abdichtung
Anwendungen:
- Raman-Spektroskopie
- Medizinische Anwendungen
- Upconversion-Material
- Partikelgrößenanalysator

Die optionalen Wellenlängen sind: 1064 nm, 976 nm, 830 nm, 808 nm, 785 nm, 784 nm, 638 nm, 532 nm und die Leistung ist optional von 100 mW bis 800 mW.
Der Hochleistungschip ist hermetisch in einem 14-Pin-Butterfly-Pigtail-Gehäuse versiegelt und mit einem Thermistor, einem thermoelektrischen Kühler und einer Überwachungsdiode ausgestattet.
Es bietet ein rauschfreies, schmales Spektrum, selbst bei Änderungen der Temperatur, des Antriebsstroms und der optischen Rückkopplung. Die Auswahl der Wellenlänge ist für Anwendungen verfügbar, die höchste Leistung bei der Spektrumsteuerung mit den höchsten verfügbaren Leistungen erfordern.
Datenblatt:
Artikel-Nr.:FC976DL800
Artikelname: 800 mW 976 nm fasergekoppelte Butterfly-Laserdiode
| Optisch | |
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Mittenwellenlänge |
976 nm |
| Wellenlängentoleranz | ±0,5 nm |
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Ausgangsleistung |
800 mW |
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Elektrisch |
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| Schwellenstrom | 0.9A/1.1A |
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Betriebsspannung |
2V |
| Thermistor / Rt (kΩ/ (25 Grad)) | 10±5%/3450 |
| TEC Max. Strom Imax (A) | 2.5A |
| TEC Max. Spannung Vmax (V) | 6.3V |
| Thermal | |
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Betriebstemperatur |
15~35 Grad |
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Lagertemperatur |
-20-50 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,01 nm/Grad |
Paketzeichnung:

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