100mW 532nm Laserdiode für die Raman-Spektroskopie
Diese wellenlängenstabilisierten 532-nm-100-mW-Laserdioden bieten eine hohe Ex-Faser-Ausgangsleistung bei einer schmalen Linienbreite, die durch ein Volumen-Bragg-Gitter stabilisiert wird.
Die Laserdiode ist für die Raman-Spektroskopie optimiert und wird auch für Metrologie-, Sensor-, Bio- und analytische Instrumentierungsanwendungen verwendet. Der Laser ist in einem branchenüblichen 14--Pin-Butterfly-Gehäuse mit Typ-1-Pinbelegung verpackt und enthält einen leistungsstarken internen TEC für Temperaturregelung und Stabilität der Laserausgabe.
Feature:
Wellenlängenstabilisierte 532-nm-Laserdiode für Raman-Spektroskopie-Anwendungen
Volumen-Bragg-Gitter (VBG) stabilisiert
Schmale Spektralbreite: < 0,05 nm
Wellenlänge: 532 nm ±0,5 nm
Butterfly-Paket mit internem Kühler, Thermistor und Fotodiode
105 μm-Faser, 0,22 NA
Faseranschluss: FC/PC
Datenblatt
Artikel-Nr.: FC532DL100
| Optisch | |
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Mittlere Wellenlänge |
532nm |
| Wellenlängentoleranz | ±0,5 nm |
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Ausgangsleistung |
100mW |
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Faser |
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Faserkern |
105 um |
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Faser Numerische Apertur |
0.22NA |
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Faserlänge |
1m |
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Faseranschluss |
FC/PC |
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Elektrisch |
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| Schwellenstrom |
1A |
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Betriebsstrom |
0.6A |
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Betriebsspannung |
2V |
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Thermal |
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Betriebstemperatur |
15 ~ 35 Grad |
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Lagertemperatur |
-20-50 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0.01 nm/Grad |
Zeichnung:
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