30W 1064nm Fasergekoppelte Diodenlaser mit PD -Thermistor
Überblick
Merkmale:
Mit zielgerichtetem Strahl, PD, Thermistor -Funktionen
Jedes Produkt des Brandnew -Technologieunternehmens hat den Alterungstest bestanden, um die Lebensdauer des Produkts . sicherzustellen
Hochwertige epitaxiale Materialwachstumstechnologie:
High-quality epitaxial material growth technology: Semiconductor laser epitaxial material growth technology is the core of semiconductor laser development. It mainly optimizes the doping curve to reduce the overlap between the optical field and the heavily doped region, thereby reducing free carrier absorption loss and improving the conversion efficiency of the device.
Anwendungen:
Raman -Spektroskopie
Metrologie
Bio-Instrumentierung
Sensing
Analytische Instrumentierung
Spezifikationblatt:
Element Nr. .: fc1064dl30
|
Optisch |
Typischer Wert |
|
Mittelwellenlänge λ |
1064nm |
|
Wellenlängentoleranz |
± 10 nm |
|
Ausgangsleistung |
30W |
|
Spektralbreite FWHM |
6nm |
|
Effizienz der Steigung |
2.5W/A |
|
Laser zielen |
|
|
Faserausgangsleistung |
2,5 MW |
|
Mittelwellenlänge |
650 ± 10 nm |
|
Betriebsspannung |
5.0V |
|
Elektrisch |
|
|
Betriebsstrom IOP |
11A |
|
Schwellenstrom mit |
0.9A |
|
Betriebsspannung VOP |
7V |
|
Effizienz der Leistungsumwandlung |
35% |
|
PD -Strom |
464UA |
|
Thermistor |
|
|
RT (25 Grad) |
10KΩ |
|
(-25 Grad /+75 Grad) |
3477±3% |
|
Faser |
|
|
Faserbiegeradius |
75 mm |
|
Faser -Kerndurchmesser |
200um |
|
Faser -Numerische Blende |
0,22na |
|
Faserlänge |
1M |
|
Faseranschluss |
SMA905 |
|
Thermal |
|
|
Betriebstemperatur |
25 ~ 35 Grad |
|
Lagertemperatur |
-20-70 Grad |
|
Wellenlänge Temperaturkoeffizient |
-0.35 nm/ Grad |
Zeichnung
Beliebte label: 30W 1064nm Fasergekoppelte Diodenlaser mit PD -Thermistor -Lieferanten, Hersteller China, Fabrik, Großhandel, in China hergestellt