785 nm 600 mW Laserdiode mit schmaler Linienbreite

785 nm 600 mW Laserdiode mit schmaler Linienbreite

Artikel-Nr.: FC785DL600
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Beschreibung

 

785 nm 600 mW Laserdiode mit schmaler Linienbreite

Produktbeschreibung

Wellenlängenstabilisierte Laserdioden mit 785 nm und 600 mW werden in einem 14-Pin-Butterfly-Gehäuse angeboten

Diese fasergekoppelten, volumenstabilisierten Bragg-Gitter-Laser bieten eine sehr schmale Linienbreite, einen breiten Betriebstemperaturbereich und einen geringen Stromverbrauch

Wird häufig für Raman-Anwendungen sowie für Mess-, Sensor-, Bioinstrumentierungs- und analytische Instrumentierungsanwendungen verwendet

Merkmale:

Wellenlänge-Stabilisiert

600 mW Ausgangsleistung

785 nm Wellenlänge

105 µm Faserkerndurchmesser

Schmale Bandbreite<0.12nm

0.22N.A.

Butterfly-Paket mit internem Kühler, Thermistor und Fotodiode

785NM
 

 

Datenblatt:

Artikel-Nr.: FC785DL600

Optisch  
Mittenwellenlänge λ 785 nm
Wellenlängentoleranz ±0,5 nm
Ausgangsleistung 600 mW
Spektrale Breite FWHM 0,1 nm
Steigungseffizienz 0.8W/A
Faser  
Faserkerndurchmesser 105um
Numerische Faserapertur 0,22 NA
Glasfaseranschluss FC/PC,SMA905
Faserlänge 1m, kann individuell angepasst werden
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 1.09A
Schwellenstrom Ith 0.36A
Betriebsspannung Vop 2V
PD <2000μA
Thermistor 10 (±5 %) kΩ (@25 Grad)
TEC-Arbeitsstrom/-spannung 2.5A/6.3V
Thermal  
Betriebstemperatur 15~35 Grad
Lagertemperatur -20~50 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0,01 nm/Grad

 

Zeichnung

WMR}QLLI4A[61KLJSV[8]AV

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