976 nm 140 W wellenlängenstabilisierter Diodenlaser
Der Effekt der Wellenlängenverriegelung hängt mit Faktoren wie dem Betriebsstrom des Hochleistungs-Halbleiterlasers, der Kühltemperatur, dem Arbeitszyklus des Betriebsstroms und dem „Smile“-Phänomen zusammen. Wenn der Unterschied zwischen der Laserwellenlänge und der Bragg-Wellenlänge des Volumen-Bragg-Gitters (VBG) weniger als 3,0 nm beträgt, kann ein besserer Wellenlängensperreffekt erzielt werden. Die Realisierung der Wellenlängenverriegelung hängt von bestimmten Technologien und Methoden ab, beispielsweise der Verwendung einer Laserstruktur mit externem Hohlraum, um die Ausgangswellenlänge des Lasers über Rückkopplungselemente wie VBG anzupassen und zu steuern, um seine Stabilität sicherzustellen.
Schnelle Details:
Konduktion-Gekühlt
CW-Arbeitsmodus
Wellenlängengesperrt mit einer Toleranz von +/-1 nm
Diodenlaserchip aus Deutschland und Submount aus Japan
200 µm/0,22 NA/2 m/frei gespaltene Endfaser
Anwendung für Endpumpen, Verteidigungsbereich, Wissenschaft und Forschung

Datenblatt:
Artikel-Nr.: FC976WS140
| Optisch | |
| Mittenwellenlänge | 976 nm |
| Wellenlängentoleranz | ±1nm |
| Ausgangsleistung | 140W |
| Spektrale Breite FWHM | 1nm |
| Steigungseffizienz | 11W/A |
| Wellenlängenverschiebung mit Strom | 0,03 nm/A |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 13~14A |
| Schwellenstrom Ith | 0.9A |
| Betriebsspannung Vop | 22~24V |
| Effizienz der Energieumwandlung | 45% |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur (nicht-kondensierend) | 25~35 Grad |
| Lagertemperatur (nicht-kondensierend) | -20~70 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | -0,02 nm/Grad |
| Andere | |
| ESD | 500V |
| Relative Luftfeuchtigkeit | 15-75% |
| Wellenlängenbereich (Feedback-Isolation) | 1040–1200 nm |
Zeichnung:

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