100 W 808 nm leitungsgekühlter Diodenlaser

100 W 808 nm leitungsgekühlter Diodenlaser

Artikel-Nr.:CC808HA100
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Beschreibung

100 W 808 nm leitungsgekühlter Diodenlaser

 

Beschreibung

Die Verpackungs- und Kühlkörpersysteme wurden sorgfältig optimiert, um den Gesamtwärmewiderstand effektiv zu minimieren. Unter Verwendung von AuSn-Hartlot werden die Laserstapel methodisch in einem kompakten und robusten Gehäuse zusammengebaut, was eine nahtlose Verbindung zu einem Wärmetauscher für eine präzise thermische Steuerung ermöglicht. Strenge Umwelttests, die Lebensdauertests, Vakuumbeständigkeit, Bestrahlungsbeständigkeit und Stoßbeständigkeit umfassen, haben die Eignung dieser Stapel für anspruchsvolle Anwendungen in Weltraum- und Verteidigungsszenarien erfolgreich bestätigt.

product-620-620

Einzelheiten

QCW-Betrieb

100 W QCW pro Diodenbarren

Standardwellenlänge 808 nm

Weltraumtaugliche Technologie (Vakuum, Bestrahlung)

Montagepaket mit geringem Wärmewiderstand

Mechanisch robust, stoß- und vibrationsfest

 

 

product-700-700
Anwendung

Ablation

Gravur

Oberflächenbehandlung

Pumpen

Parameter

Artikelnummer:CC808HA100

Optisch
Mittenwellenlänge 808 nm
Wellenlängentoleranz ±10 nm
Anzahl der Balken 1
Arbeitsmodus QCW
Ausgangsleistung 100W
Arbeitszyklus 0.5%
Elektrisch
Betriebsstrom <120A
Schwellenstrom 25A
Betriebsspannung 2V
Thermisch
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40-85 Grad
Detaillierte Zeichnung
808nm laser diode
 

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