100 W 808 nm Laserdiodenbarren G-Stack

100 W 808 nm Laserdiodenbarren G-Stack

Artikel-Nr.: CC808HA100
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Beschreibung

 

100 W 808 nm Laserdiodenbarren G-Stack

Produktbeschreibung
 

Horizontal gestapelte Laserdioden bestehen aus zahlreichen nebeneinander angeordneten Diodenlaserbarren. Diese gestapelten Arrays können mit 2 bis 20 Diodenbarren mit 100 W QCW bis 300 W QCW aufgebaut werden. BrandNew bietet weiterhin Mischdiodenstäbe unterschiedlicher Wellenlänge an, um ein breites optisches Emissionsspektrum zu erzielen, dessen Leistung sich gut für den Aufbau eines effizienten Pump-Skim in einer nicht stabilisierten Temperaturumgebung eignet.

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Überblick

 

Besonderheit:

ein Balken

Arbeitsmodus: QCW

Konduktionsgekühlt

Horizontaler Stapel

Diese Arrays sind für ein breites Spektrum an Standardwellenlängen erhältlich und können auf nahezu allen Brandnew-Laserdioden-Array-Plattformen untergebracht werden, einschließlich G- und Cs-Gehäusen.

Anwendungen:

So vielfältige Anwendungen wie Festkörperlaserpumpen, gerichtete Energiewaffen, militärische Entfernungsmessung und Zielbestimmung, Haarentfernung und Schweißen profitieren alle von der hohen Leistung und den flexiblen Konfigurationen dieser Stapel

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Datenblatt:

Artikel-Nr.: CC808HA100

 

Optisch  
Mittenwellenlänge 808 ± 10 nm
Ausgangsleistung 100W
Arbeitsmodus QCW
Schnelle Achsendivergenz (FWHM) 50 Grad
Langsame Achsendivergenz (FWHM) 10 Grad
Spektrale Breite FWHM 6nm
Frequenz 3 Hz
Impulsbreite 4 ms
Arbeitszyklus <2%
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 100A
Schwellenstrom Ith 15A
Betriebsspannung Vop 2V
Effizienz der Energieumwandlung 50%
Thermal  
Betriebstemperatur -45-+60 Grad
Lagertemperatur -55-+85 Grad

 

Paketzeichnung:

 

 

J{~XP~1949(52P[1E6N77AP

 

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