400 W 976 nm G-Stack-Laserdiodenbarren
Brandneue QCW-Hochleistungs-G-Stack-Laserdiodenbarren mit Leitungskühlung und 2 bis 12 Barren bei 100 bis 250 W optischer Ausgangsleistung pro Barren (bei 808 oder 940 nm) bieten hohe Qualität und Zuverlässigkeit.
Merkmale:
Halbleiterchips hergestellt in Deutschland
AuSn-Bonding in kompakter Größe
Lange Lebensdauer, hohe Leistung, schmales Spektrum
Anwendungen:
Die Laserstrahlen der horizontal gestapelten Laserdiodenmodule können mithilfe von Prismen und Linsen auf einen Lichtfleck, ein Rechteck oder eine Lichtlinie fokussiert werden, die eine hohe Energiedichte aufweisen und für Anwendungen in der Dermatologie/Ästhetik, Sensorik, Verteidigung und Materialverarbeitung wie Metallverarbeitung, Schweißen, Wärmebehandlung und Markierung.
Datenblatt:
Artikel-Nr.: CC976HA400
| Optisch | |
| Mittenwellenlänge | 976 ± 10 nm |
| Ausgangsleistung | 400W |
| Arbeitsmodus | QCW |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 50 Grad |
| Langsame Achsendivergenz (FWHM) | 10 Grad |
| Spektrale Breite FWHM | 6nm |
| Frequenz | 1-5hz |
| Impulsbreite | 5-6MS |
| Arbeitszyklus | ＜2% |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 400A |
| Schwellenstrom Ith | 60A |
| Betriebsspannung Vop | 2V |
| Effizienz der Energieumwandlung | 50% |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur | -45-+60 Grad |
| Lagertemperatur | -55-+85 Grad |
Paketzeichnung:
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