10W 20W 915nm Laserchip Hersteller

10W 20W 915nm Laserchip Hersteller

Hohe Umwandlungseffizienz
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Beschreibung

10W 20W 915nm CW-Laserchip für Ridar
Blanke Chips nicht auf Submount geklebt

Der neueste 915-nm-Chip hat eine durchschnittliche Leistungssteigerung von etwa 20% im Vergleich zur Vorgängerversion, und die Linearität wurde ebenfalls verbessert.

Der 915-nm-Laserchip zeichnet sich durch niedrige Spannung, hohe Effizienz, lange Lebensdauer, hohe Zuverlässigkeit und hohe Kostenleistung aus. Es erhält breite Anerkennung von den Benutzern und seine Auslieferungen nehmen weiter zu.


Betrieb:
Zentrale Wellenlänge915 nm
Optische Ausgangsleistung10W18W
BetriebsmodusCW
Leistungsmodulation100%
Geometrisch:
Emitterbreite95um190um
Emitter-Pitch400um500um
Hohlraumlänge4000um
Chiphöhe125um
Elektrooptische Daten:
Fast Axis Divergency (FWHM)29 Grad
Slow Axis Divergency (FWHM)9 Grad
Spektrale Bandbreite (FWHM)4nm
Steigungseffizienz1W/A
Konvertierungseffizienz52%
Schwellenstrom0.7A1.3A
Betriebsstrom11A20A
1.7Betriebsspannung1.8V
Temperatureigenschaften0,33 nm/℃
PolarisationTE
LD-Betriebstemperatur25℃


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CT-Express



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