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2W 830nm Single-Emitter SE Bare Laser Bar

2W 830nm Single-Emitter SE Bare Laser Bar

Hohe ZuverlässigkeitErweitert in Leistung, Helligkeit, Effizienz und Divergenz. Kundenspezifische Option bei Bedarf.
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Beschreibung

 


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    2W 830nm Einzelemitter Bare Laser Bar

    Single-Emitter-Laserdioden (SE)-Chips sind der Grundbaustein für Hochleistungs- und High-Brightness-Halbleiterlasermodule.

    Wir fertigen Einzelchips mit unterschiedlichen Ausgangsleistungen und Wellenlängen.


    Betrieb:
    Zentrale Wellenlänge808 nm
    Optische Ausgangsleistung2W
    BetriebsmodusCW
    Leistungsmodulation100%
    Geometrisch:
    Emitterbreite40um
    Hohlraumlänge2000um
    Spanbreite400um
    Hohlraumhöhe150um
    Elektrooptische Daten:
    Fast Axis Divergency (FWHM)35 Grad
    Slow Axis Divergency (FWHM)10 Grad
    Spektrale Bandbreite (FWHM)3nm
    Pulswellenlänge808 nm
    Steigungseffizienz1.2W/A
    Konvertierungseffizienz55%
    Schwellenstrom0.3A
    Betriebsstrom2A
    Betriebsspannung1.8V
    Temperatureigenschaften0,28 nm/℃
    PolarisationTE
    LD-Betriebstemperatur25℃


    Bemerkungen

    Andere Modelle sind nach Ihrer Wahl erhältlich, bitte kontaktieren Sie uns frei.



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