915 nm 10 W COS-Laserdiodenchip auf Submount

915 nm 10 W COS-Laserdiodenchip auf Submount

Artikel-Nr.: COS915DL10
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Beschreibung

 

915 nm 10 W COS-Diodenlaserchip auf Submount zur Pumpquelle/Materialverarbeitung

 

Merkmale:

  • Chip-on-Submount-Design
  • Hohe Stabilität und lange Lebensdauer
  • AuSn-Bonding
  • RoHS-Konformität

Anwendungen:

  • Medizinische Verwendung
  • Druckquelle
  • Festkörper-Pumpquelle
  • Materialverarbeitung
808nm COS

 

10 W 915 nm COS-Diodenlaserchips im Submount-Design sorgen für mehr Sicherheit. Und der Chip verfügt über ein neues epitaktisches Strukturdesign und eine neue Materialepitaxie, fortschrittliche Nicht-Pumpfenster-Design- und Vorbereitungstechnologie sowie Nass- und Trockenätzen in Kombination mit einer selbstausrichtenden Prozesstechnologie, um die Konsistenz der Streifenbreite zu steuern, insbesondere um die Fertigungsausbeute zu erhöhen und auch die Kosten des Laserchips zu senken.

 

 

Datenblatt

Artikel-Nr.: COS915DL10

Artikelbezeichnung: 915 nm COS-Laserdiode

Optisch
Mittenwellenlänge 915 nm
Wellenlängentoleranz ±10 nm
Ausgangsleistung 10W
Spektrale Breite FWHM 6nm
Schnelle Achsendivergenz 30 Grad
Langsame Achsendivergenz 10 Grad
Emittergröße 96um
Elektrisch
Schwellenstrom 0.5A
Betriebsstrom 11A
Betriebsspannung 1.7V
Thermal
Betriebstemperatur 15-55 Grad
Lagertemperatur -30-70 Grad
Wellenlängentemperatur. Koeffizient 0,3 nm/Grad

 

 

Zeichnung:

10w 808 COS drawing

 

Brandneu bietet 808 nm, 830 nm, 905 nm, 915 nm, 940 nm, 976 nm Chip-auf-Substrat (CoS). Diese Chip--auf-Substrat-Laserdioden werden häufig in den Bereichen Pumpen, Beleuchtung, Materialverarbeitung und medizinische Anwendungen eingesetzt.

product-456-395

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