160 mW 1310 nm Hochleistungs-DFB-Diodenlaserchip mit schmaler Linienbreite

160 mW 1310 nm Hochleistungs-DFB-Diodenlaserchip mit schmaler Linienbreite

Artikel-Nr.: LC1310DFB016
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Beschreibung

160 mW 1310 nm Hochleistungs-DFB-Diodenlaserchip mit schmaler Linienbreite

 

Merkmale:

  • Single Longitudinal Mode (DFB-Struktur): Stabile Wellenlängenemission mit geringem Rauschen
  • Kompaktes Chip-Design: Ideal für die Integration in TO-Dosen, Butterfly- oder kundenspezifische Verpackungen
  • Hohe Zuverlässigkeit: Bewährte Leistung für langfristigen Dauerbetrieb
  • RoHS-konform
  • Betriebstemperatur des Gehäuses: 0–75 Grad
 

Anwendungen:

  • Mikrowellenphotonik
  • Optischer Test und Instrumentierung
  • FMCW LIDAR
  • Optische Erfassung
905nm laser chip

Datenblatt

Artikel-Nr.: LC1310DFB016

Artikelname: 905 nm 280 W Einzelbalken-Laserchip

Optisch

Typ

Zentrale Wellenlänge

1310 nm

Ausgangsleistung

160 mW

Spektrale Linienbreite

250 kHz

Steigungseffizienz 0.3W/A
Strahldiverenzwinkel, vertikal 21. Grad
Strahldivergenzwinkel, horizontal 13 Grad

Elektrisch

Durchlassstrom der Laserdiode

450mA

Sperrspannung der Laserdiode

1A

Betriebsspannung Vop

10V

Umwandlungseffizienz

40%

Arbeitszyklus 0.010%
Wiederholungsfrequenz 5000Hz

Thermal

 

Betriebstemperatur

75 Grad

Lagertemperatur

-40~+100 Grad

 

Zeichnung:

3W 1064nm Bare Laser Chip

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