3W Diodenlaserchips

3W Diodenlaserchips

Wavelength: 940 nm ; High power conversion efficiency: >35%
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Beschreibung

 

3W Diodenlaserchips

 

Produktbeschreibung

Das Grundprinzip von EEL 3W-Diodenlaserchips (Edge-Emitting Laser) ist der Prozess der Erzeugung von Photonen durch stimulierte Strahlung. Die Struktur des EEL-Lasers besteht hauptsächlich aus drei Teilen: aktiver Halbleiterbereich, Pumpquelle und optischer Resonanzhohlraum. Der aktive Bereich ist der Kernbereich der Lasererzeugung. Die Pumpquelle liefert Energie zur Anregung der Elektronen im aktiven Bereich, während der optische Hohlraumresonator für die Modenauswahl und Verstärkung der Photonen verantwortlich ist und schließlich einen Laserstrahl bildet

Diese Diodenlaserchips sind für ToF-Anwendungen mit kurzer{0}}Reichweite konzipiert

• Wellenlänge: 940 nm

• High power conversion efficiency: >35%

• Spitzenleistung: 3 W

3W 1064nm Bare Laser Chip
 

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