75 W 905 nm Diodenlaserchips
Kurze Details:
Es wird ein 4-schichtiger Licht--Emissionsabschnitt mit einer Lichtemissionsgröße von 300 μm x 16 μm und einem photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad von 41 % verwendet.
Der Divergenzwinkel der schnellen Achse beträgt 30 Grad und der Divergenzwinkel der langsamen Achse beträgt 10 Grad.
Besonders hervorzuheben ist die hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit dieses Chips.
Der Temperaturtest bei 25 °C bis 125 °C ist schwer. Bei jeder Erhöhung um 10 Grad Celsius wird die Leistung um 4 % reduziert.
Anwendungen:
Laser-Lidar
Medizinische Anwendung
Laserbeleuchtung
Optische Freiraumkommunikation.
Industrielles Pumpen
Datenblatt:
Artikel-Nr.: LC905SM75
| Betrieb | |
| Mittenwellenlänge | 905 nm |
| Ausgangsleistung | 75W |
| Betriebsmodus | QCW |
| Geometrisch | |
| Emitterbreite | 135 um |
| Hohlraumlänge | 1000 um |
| Hohlraumdicke | 125 um |
| Hohlraumbreite | 400 um |
| Elektrooptische Daten | |
| Schwellenstrom | 0.68A |
| Betriebsstrom | 20A |
| Betriebsspannung | 6.3V |
| Steigungseffizienz | 3.2W/A |
| Langsame Achsendivergenz | 9 |
| Schnelle Achsendivergenz | 27 |
| Spektrale Breite | 4nm |
| Polarisation | TE |
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