Beschreibung
808-nm-Diodenlaserchips
Hohe Zuverlässigkeit
Fortschrittlich in Leistung, Helligkeit, Effizienz und Divergenz.
Kundenspezifische Option bei Bedarf.

| Optisch | Mindest | Typ | Max | Einheit |
| Zentrale Wellenlänge | 798 | 808 | 818 | nm |
| Ausgangsleistung | 50 | W | ||
| Arbeitsmodus | CW | |||
| Spektrumbreite | 4 | nm | ||
| Anzahl der Sender | 19 | |||
| Emitterbreite | 150 | μm | ||
| Emitter-Pitch | 500 | μm | ||
| Füllfaktor | 30 | % | ||
| Balkenbreite | 9800 | 10000 | 10200 | μm |
| Hohlraumlänge | 990 | 1000 | 1010 | μm |
| Dicke | 115 | 125 | 135 | μm |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 39 | Deg | ||
| Slow Axis Divergenz (FWHM) | 9 | Deg | ||
| Polarisationsmodus | TE | |||
| Pisteneffizienz | 1.05 | 1.15 | W/A |
| Elektrisch | Mindest | Typ | Max | Einheit |
| Betriebsstrom Iop | 48.5 | 50.5 | A | |
| Schwellenstrom Ith | 6 | A | ||
| Betriebsspannung Vop | 1.8 | 2 | V | |
| Konvertierungseffizienz | 52 | 57 | % |
| Thermal | Mindest | Typ | Max | Einheit |
| Betriebstemperatur | 15 | 25 | 35 | ℃ |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0.28 | nm/℃ |
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