Beschreibung
8W 976nm CW Single Emitter Diodenlaserchip
Überblick:
8 W Ausgangsleistung, 976 nm zentrale Wellenlänge
CW-Arbeitsmodus, 1 Emitter auf dem Chip, TE-Polarisationsmodus
Die Umwandlungseffizienz unseres Chips kann 60% erreichen
Neues epitaktisches Strukturdesign und Materialepitaxie
Vorteil:
Lange Lebensdauer>10000 Stunden
Hohe Zuverlässigkeit und Stabilität
Einzelemitter-Laserchip
Anwendung:
Faserlaser-Pumpquelle
Autonomes Fahren Lidar
Direkter Halbleiterlaser
Laserbeleuchtung
Datenblatt
Artikel-Nr: LC976SE8
Artikelname:8W 976nm CW Single Emitter Diodenlaserchip
| Optisch | Mindest | Typ | Max |
| Zentrale Wellenlänge | 966 nm | 976 nm | 986 nm |
| Ausgangsleistung | 8W | ||
| Arbeitsmodus | CW | ||
| Spektrumbreite | 3nm | ||
| Anzahl der Sender | 1 | ||
| Emitterbreite | 95um | ||
| Emitter-Pitch | 400um | ||
| Füllfaktor | 50% | ||
| Hohlraumlänge | 3990 | 4000um | 4010 |
| Dicke | 110um | 130um | 150um |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 36Grad | 40Grad | |
| Slow Axis Divergenz (FWHM) | 10Grad | 12Grad | |
| Polarisationsmodus | TE | ||
| Pisteneffizienz | 0.95W/A | 1W/A | |
| Elektrisch | |||
| Betriebsstrom Iop | 10A | 11A | |
| Schwellenstrom Ith | 0.7A | 1A | |
| Betriebsspannung Vop | 1.75V | 2V | |
| Konvertierungseffizienz | 54% | 58% | |
| Thermal | |||
| Betriebstemperatur | 15℃ | 25℃ | 35℃ |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,28 nm/℃ |
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