Chip-On-Submount-Laserdiode

Chip-on-Submount-Laserdiode

Hauptmerkmale:

Chip-on-Submount-Design und versiegeltes P-Down-Gehäuse

AuSn-Bonding RoHS-Konformität

808 nm, 915 nm, 975 nm Wellenlänge optional

Hohe elektro-optische Effizienz

Hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer

Für Pumpen, Beleuchtung, Materialbearbeitung und medizinische Anwendungen

ESD-SCHUTZ – Elektrostatische Entladung ist die Hauptursache für unerwartete Produktausfälle. Treffen Sie äußerste Vorsichtsmaßnahmen, um ESD zu verhindern. Verwenden Sie beim Umgang mit dem Produkt Handgelenkbänder, geerdete Arbeitsflächen und strenge antistatische Techniken.

Datenblatt:

Artikel-Nr.: COS808DL10

Optisch
Mittenwellenlänge	808±5nm
Ausgangsleistung	10W
Spektralbreite FWHM	6nm
Pisteneffizienz	1.0W/A
Elektrisch
Betriebsstrom Iop	12A
Schwellenstrom Ith	1.5A
Betriebsspannung Vop	1.8V
Leistungsumwandlungseffizienz	50%
Thermal
Betriebstemperatur	15-55℃
Lagertemperatur	-30~70℃
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient	0,3 nm/℃

Paketzeichnung:

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