Einzelemitter-Diodenlaserchips

Einzelemitter-Diodenlaserchips

75-W-905-nm-Einzelemitter-Laserchip-Laserbarren auf Submount-Gehäuse
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Beschreibung

 

Einzelemitter-Diodenlaserchips

3W 1064nm Bare Laser Chip
 
 

Produktbeschreibung

Der neueste 905-nm-Chip weist im Vergleich zur Vorgängerversion eine durchschnittliche Leistungssteigerung von etwa 20 % auf und auch die Linearität wurde verbessert. Der Divergenzwinkel der langsamen Achse wird von bisher 16,8 auf 10 Grad angepasst.

Der 75-W-905-nm-Laserchip zeichnet sich durch niedrige Spannung, hohe Effizienz, lange Lebensdauer, hohe Zuverlässigkeit und hohe Kostenleistung aus. Es stößt bei den Nutzern auf große Anerkennung und seine Auslieferungen nehmen weiter zu.

 

Die 905-nm-Wellenlänge wird in vielen Bereichen weit verbreitet verwendet, darunter Nahbereichsentfernung, Hinderniserkennung, Hinderniswahrnehmung beim autonomen Fahren, industrielle Automatisierung, Indoor-Navigation, Robotik usw.

Spezifikation:

Betrieb
Mittenwellenlänge 905 nm
Ausgangsleistung 75w
Betriebsmodus QCW
Geometrisch
Emitterbreite 135 um
Hohlraumlänge 1000 um
Chiphöhe 125 um
Emitterabstand 400 um
Elektrooptische Daten
Schwellenstrom 0.68A
Betriebsstrom 20A
Betriebsspannung 6.3v
Pisteneffizienz 3.2W/A
Gesamtumwandlungseffizienz 40%
Langsame Achsendivergenz 9
Divergenz der schnellen Achse 27
Spektrale Breite 4nm
Polarisation TE

 

 

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