25 W 915 nm Laserdioden-Laserbarren

25 W 915 nm Laserdioden-Laserbarren

Artikel-Nr.: LC915SE25
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Beschreibung

 

25 W 915 nm Laserdioden-Laserbarren

Produktbeschreibung

Laserchips werden unter strengsten Qualitätskontrollen hergestellt. Wir arbeiten ausschließlich mit modernster Epitaxie-, Verarbeitungs- und Facettenbeschichtungstechnologie. Für die Montage des Laserchips werden Standard-Lötmethoden verwendet. Das Material unterstützt sowohl Weichlot (Indium) als auch Hartlot (Gold/Zinn). Der Standardaufbau des Laserchips ist eine auf der p--Seite getrennte Emitterstruktur. Auf Anfrage sind Laserchips mit durchgehender p--Seitenmetallisierung und angepassten Facettenbeschichtungen erhältlich, wobei Low-AR-Beschichtungen für den Aufbau externer Resonatoren verwendet werden.

Merkmale:

Hohe Zuverlässigkeit

Hohe Polarisation

Hohe Helligkeit

Lange Lebensdauer

COS-Verpackung verfügbar

Anwendung:

Faserlaser-Pumpquelle

Festkörperlaser-Pumpquelle

Direkter Halbleiterlaser

Andere

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

 

Spezifikation:

Artikel-Nr.: LC915SE25

Optisch  
Zentrale Wellenlänge 915 nm
Ausgangsleistung 25W
Arbeitsmodus CW
Emitterbreite 190μm
Emitterabstand 400μm
Hohlraumlänge 4000μm
Dicke 95-115μm
Spektrale Bandbreite (FWHM) 4nm
Steigungseffizienz 1.1W/A
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 25A
Schwellenstrom Ith 1.55A
Betriebsspannung Vop 1.7V
Umwandlungseffizienz 60%
Thermal  
Betriebstemperatur 20 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0,35 nm/Grad

 

Leistungskurve und Größenzeichnung

MB8[N%0LDVQNNDS)1BTG]00

 

FAQ:

Was ist die Vorlaufzeit?

Normalerweise 3-5 Tage. Maßgeschneiderte Produkte benötigen 15 Werktage.

 

Könnten Sie OEM-Leistungen erbringen (Laser für Kunden entwerfen und herstellen)?

Ja, wir verfügen über ein professionelles Forschungs- und Entwicklungsteam, das Software, Hardware, Elektronik und eine 3D-Designerabteilung umfasst, und verfügen über ausreichende Kapazitäten, um Laser vollständig nach den Anforderungen des Kunden herzustellen.

 

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