25 W 976 nm Laserdioden-Laserbarren

25 W 976 nm Laserdioden-Laserbarren

Artikel-Nr.: LC976SE25
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Beschreibung

 

25 W 976 nm Laserdioden-Laserbarren

Produktbeschreibung

Merkmale:

Höchste Qualität: Wir überwachen die Produktion unserer Halbleiterprodukte streng in klar definierten Prozessen.

Leistungsstark: Hohe, zuverlässige Ausgangsleistung und ideale Strahleigenschaften.

Wirtschaftlich: Unsere Halbleiter sind sehr effizient und zeichnen sich durch eine lange Lebensdauer aus.

Anwendungen:

Single-Emitter-Laserdiodenchips (SE) sind der Grundbaustein für Halbleiterlasermodule mit hoher Leistung und hoher Helligkeit.

3W 1550nm Unmounted Diode Laser Bar
 

 

Spezifikation:

Artikel-Nr.: LC976SE25

Optisch Typ
Zentrale Wellenlänge 976 nm
Ausgangsleistung 25W
Arbeitsmodus CW
Emitterbreite 220μm
Emitterabstand 430μm
Hohlraumlänge 4000μm
Dicke 95-115μm
Spektrale Bandbreite (FWHM) 4nm
Steigungseffizienz 1W/A
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 25A
Schwellenstrom Ith 1.3A
Betriebsspannung Vop 1.55V
Umwandlungseffizienz 65%
Thermal  
Betriebstemperatur 20 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0.35nm/Grad

 

Leistungskurve und Größenzeichnung

UKVZ~Z%UN94`W5_D0Y0H4(I

 

 

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