Beschreibung
50 W 808 nm CW Multi-Emitter-Diodenlaserchip für Beleuchtungsanwendungen
Merkmale:
Mittenwellenlänge: 808 nm
Stablänge: 10 mm
Stabhohlraum: 1 mm
Anwendungen:
Kommunikation,
Raman-Spektrometer
Lasermaterialbearbeitung
Laserausrüstung
Laserindustrie
50 W Ausgangsleistung, 808 nm Zentralwellenlänge
Andere Leistungen sind ebenfalls verfügbar (100 W, 300 W, 500 W).
CW-Arbeitsmodus, TE-Polarisationsmodus, 19 Emitter
Hohe Helligkeit, hohe Zuverlässigkeit, hohe Stabilität
Verfügbar mit jeder Mirco-Kanal-gekühlten Konfiguration
COS-Verpackung verfügbar
Datenblatt
Artikel-Nr.: LC808SB50
Artikelbezeichnung: 50 W 808 nm CW-Einzelbalken-Laserchip
| Optisch | |
| Zentrale Wellenlänge | 808 nm |
| Ausgangsleistung | 50W |
| Arbeitsmodus | CW |
| Spektrumbreite | 19 |
| Emitterbreite | 150 um |
| Bar-Hohlraum | 1mm |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 50A |
| Schwellenstrom Ith | 8A |
| Betriebsspannung Vop | 2V |
| Thermal | |
| Testtemperatur | 25 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,3 nm/Grad |
| Lagertemperaturkoeffizient | 0,3 nm/Grad |
Zeichnung:
Beliebte label: 50 W 808 nm CW-Einzelbarren-Laserchip-Lieferanten, Hersteller China, Fabrik, Großhandel, hergestellt in China