300 W 808 nm Umontierter Halbleiterdiodenlaserbarren und -chip

300 W 808 nm Umontierter Halbleiterdiodenlaserbarren und -chip

Artikel-Nr.: LC808SB300
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Beschreibung

00W 808nm Umontierter Halbleiterdiodenlaserbarren und Chip-Multi-Emitter-Halbleiterlaserchips für die Materialbearbeitung

 

Merkmale:

  • Hochleistungs-Laserchip 300 W
  • 808 nm Zentralwellenlänge
  • QCW-Arbeitsmodus, 60 Emitter
  • Unser Laserchip mit hoher Helligkeit, hoher Zuverlässigkeit und hoher Stabilität
  • Verfügbar mit jeder Mirco-Kanal-gekühlten Konfiguration

Anwendungen:

  • Laserlichtquelle
  • Direkte Materialverarbeitung
  • Lidar-Sensor
Semiconductor Laser Chip 808nm

 

 

Datenblatt

Artikel-Nr.: LC808SB300

Artikelname: Halbleiterlaser-Barrenchip 808 nm

Optisch  
Zentrale Wellenlänge 808 nm
Ausgangsleistung 300W
Arbeitsmodus QCW
Spektrumbreite 4nm
Anzahl der Emitter 60
Emitterbreite 120
Hohlraumbreite 160
Füllfaktor 75%
Balkenbreite 10000
Hohlraumlänge 1500
Dicke 130
Schnelle Achsendivergenz (FWHM) 39 Grad
Slow-Axis-Divergenz (FWHM) 12 Grad
Polarisationsmodus TE
Steigungseffizienz 1.15W/A
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 280A
Schwellenstrom Ith 30A
Betriebsspannung Vop 1.9V
Effizienz der Energieumwandlung  
Thermal  
Betriebstemperatur 25 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0,3 nm/Grad

 

Zeichnung:

300w 808 LC drawing

Laserdioden-Streifenchips sind nackte Wafer, in denen mehrere Laserchips zu einem Streifen kombiniert werden, der die Leistung der einzelnen Laser kombiniert, um eine Leistung von mehreren zehn oder sogar Hunderten Watt zu erzeugen. Die Hauptanwendungen für Laserdiodenchips sind Medizin, Laserbearbeitung und optische Freiraumkommunikation.
Laserdioden-Stabchips sind Hochleistungs-Halbleiterlasergeräte, die aus einer Reihe einzelner Laserdioden bestehen, die auf einem einzigen Chip gefertigt sind. Laserdiodenstabchips werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter in der Materialverarbeitung, bei der Herstellung medizinischer Geräte, im Druck und in der Bildgebung.
Jede einzelne Laserdiode in einem Laserdiodenstreifen ist darauf ausgelegt, Licht in einem schmalen Spektralbereich, typischerweise im nahen Infrarotbereich, zu emittieren. Die Ausgangsleistung jeder Laserdiode liegt je nach Bauart und Größe des Geräts zwischen einigen hundert Milliwatt und mehreren Watt. Laserdioden-Streifenchips können Licht entweder im Dauerstrichmodus (CW) oder im Impulsmodus emittieren. Im CW-Modus sendet die Laserdiode einen kontinuierlichen Lichtstrom aus, während im gepulsten Modus die Laserdiode kurze Lichtimpulse hoher Intensität aussendet.
Der Herstellungsprozess für Laserdioden-Streifenchips umfasst typischerweise das epitaktische Wachstum von Aktiv- und Mantelschichten auf einem Substrat, gefolgt von Photolithographie und Ätzen, um die Gerätestruktur zu definieren. Anschließend werden einzelne Laserdioden geformt, indem das Gerät in kleinere Stücke geschnitten wird, die jeweils eine oder mehrere Laserdioden enthalten.
Laserdiodenchips sind häufig mit zusätzlichen optischen und elektronischen Komponenten ausgestattet, um das Licht effizient in Glasfaser- oder andere Übertragungssysteme einzukoppeln. Das Paket bietet außerdem ein Wärmemanagement, um die durch die hohe Leistungsabgabe des Geräts erzeugte Wärme abzuleiten.
Im Allgemeinen bieten Laserdiodenchips eine hohe Leistung und hohe Helligkeit, wodurch sie für eine Vielzahl industrieller und wissenschaftlicher Anwendungen geeignet sind.

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