Beschreibung
12W 940nm Einzelemitter-Laserchip
Schnelles Detail:
Ausgangsleistung: 12W, Zentrale Wellenlänge: 940nm
CW-Arbeitsmodus, 100% Leistungsmodulation
Die Umwandlungseffizienz unseres Chips kann 60% erreichen
Die Lebensdauer kann mehr als 10000 Stunden betragen
Neues epitaktisches Strukturdesign und Materialepitaxie
COS-Paket verfügbar, hohe Helligkeit und Zuverlässigkeit
Anwendung:
Festkörper-Laserpumpquelle
Direkter Halbleiterlaser
Halbleiter für Hochleistungsdiodenlaser in der direkten Materialbearbeitung, zum Heizen oder Beleuchten.
Datenblatt
Artikel-Nr.: LC940SE12
Artikelname:12W 940nm Einzelemitter-Laserchip
| Optisch | Mindest | Typ | Max |
| Zentrale Wellenlänge | 930nm | 940nm | 950nm |
| Ausgangsleistung | 12W | ||
| Arbeitsmodus | CW | ||
| Leistungsmodulation | 100% | ||
| Spektrumbreite | 4nm | ||
| Emitterbreite | 90um | 95um | |
| Emitter-Pitch | 390um | 400um | 410um |
| Füllfaktor | 100% | ||
| Hohlraumlänge | 3990 | 4000um | 4010 |
| Dicke | 110um | 130um | 150um |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 29Grad | ||
| Slow Axis Divergenz (FWHM) | 9Grad | ||
| Polarisationsmodus | TE | ||
| Pisteneffizienz | 1W/A | ||
| Elektrisch | |||
| Betriebsstrom Iop | 13A | 11A | |
| Schwellenstrom Ith | 0.7A | 1A | |
| Betriebsspannung Vop | 1.7V | 2V | |
| Konvertierungseffizienz | 52% | 56% | |
| Thermal | |||
| Betriebstemperatur | 15℃ | 25℃ | 35℃ |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,34 nm/℃ |
LIV-Kurve
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