Beschreibung
150mW 940nm VCSEL Laserchip
Materialien und Strukturen
Substrat: GaAs
p-Metallisierung: Au-Legierung
n-Metallisierung: Au-Legierung
Epitaxiestruktur: InGaAs MQWs
Eigenschaften
| Parameter | Typ. |
| Mittenwellenlänge | 940±10nm |
| Ausgangsleistung | 150mW |
| Durchlassspannung | 1.9V |
| Steigungseffizienz | 0.9W/A |
| Dominante Wellenlänge | 42.6% |
| Wellenlänge Temp. Koeffizient | 0,07 nm/℃ |
| Rückstrom | 1uA |
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