4 W 850 nm VCSEL-Laserdiode
VCSEL-Geräte werden häufig in der 3D-Gesichtserkennung und Entfernungsmessung eingesetzt. Wenn VCSEL-Arrays in TOF-Modulen, insbesondere dTOF-Systemen wie LiDAR, verwendet werden, sind die Spitzenleistung, der Betriebsstrom, die Betriebsspannung, die Umwandlungseffizienz sowie die optischen Eigenschaften von VCSEL im Nah- und Fernfeld bei engen Pulsbedingungen sehr wichtig.
Merkmale
Einzelne Wellenlänge
Geringe Wellenlängendrift
Oxidisolationstechnologie
Niedriger Schwellenstrom
Hohe Zuverlässigkeit
Einfach zu kollimieren
Anwendungen
3D-Sensoren
Lidars
IR-Beleuchtung
Medizinische Anwendungen
Näherungssensoren
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: VC850SMD4
Artikelbezeichnung: 850 nm 4 W VCSEL-Diode
| Parameter | Typ. |
| Optische Leistung | 4W |
| Schwellenstrom | 600mA |
| Vorwärtsstrom | 4.5A |
| Effizienz der Energieumwandlung | 39% |
| Steigungseffizienz | 1.03W/A |
| Die Größe | 960×950um |
| Spitzenwellenlänge | 850 nm |
| Laserdurchlassspannung | 2.3V |
| Serienwiderstand | 0.51Ω |
| Abstrahlwinkel | 25 Grad |
| Wellenlängentemperatur. Drift | 0,07 nm/Grad |
| Löttemperatur | 320(10s) Grad |
| Substrat | Cu/Ag |
| Gehäuse-Betriebstemp | -40~85 Grad |
| Lagertemp | -40~105 Grad |
LIV-Diagramm und Wellenlänge
Mechanische Schaltpläne (Einheit: mm)
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SMT-Reflow-Lötkurve
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