Beschreibung
850nm 2W VCSEL-Diode
Merkmale
⚫ 850-nm-Multimode-VCSEL
⚫ Geringe Wellenlängendrift
⚫ Oxidisolationstechnologie
⚫ Niedriger Schwellenstrom
⚫ Hohe Zuverlässigkeit
⚫ Einfach zu kollimieren
⚫ Oberflächenemission mit vertikalem Hohlraum
Anwendungen
⚫ 3D-Sensoren
⚫ Lidars
⚫ IR-Beleuchtungen
⚫ Medizinische Anwendungen
⚫ Näherungssensoren
⚫ Militärische Anwendungen
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: 0305
Artikelname: 850nm 2W VCSEL Diode
| Parameter | Typ. |
| Optische Leistung | 2W |
| Schwellenstrom | 0.4A |
| Vorwärtsstrom | 2.7A |
| Leistungsumwandlungseffizienz | 36% |
| Steigungseffizienz | 0.96W/A |
| Matrizengröße | 960×950um |
| Spitzenwellenlänge | 850nm |
| Laserdurchlassspannung | 2.25V |
| Serienwiderstand | 0.83Ω |
| Abstrahlwinkel | 20 Grad |
| Wellenlänge Temp. Drift | 0,07 nm/℃ |
| Löttemperatur | 260(5s)℃ |
| Substrat | Cu/Ag |
| Gehäuse Betriebstemperatur | -40~80℃ |
| Lagertemperatur | -40~105℃ |
LIV-Graph und Wellenlänge
Mechanische Schaltpläne (Einheit: mm)
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SMT-Reflow-Lötkurve
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