Beschreibung
850 nm 2 W VCSEL-Diode
Merkmale
⚫ 850 nm Multimode-VCSEL
⚫ Geringe Wellenlängendrift
⚫ Oxidisolationstechnologie
⚫ Niedriger Schwellenstrom
⚫ Hohe Zuverlässigkeit
⚫ Einfach zu kollimieren
⚫ Oberflächenemission mit vertikalem Hohlraum
Anwendungen
⚫ 3D-Sensoren
⚫ Lidars
⚫ IR-Beleuchtung
⚫ Medizinische Anwendungen
⚫ Näherungssensoren
⚫ Militärische Anwendungen
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: VC850SMD2
Artikelbezeichnung: 850 nm 2 W VCSEL-Diode
| Parameter | Typ. |
| Optische Leistung | 2W |
| Schwellenstrom | 0.4A |
| Vorwärtsstrom | 2.7A |
| Effizienz der Energieumwandlung | 36% |
| Steigungseffizienz | 0.96W/A |
| Die Größe | 960×950um |
| Spitzenwellenlänge | 850 nm |
| Laserdurchlassspannung | 2.25V |
| Serienwiderstand | 0.83Ω |
| Abstrahlwinkel | 20 Grad |
| Wellenlängentemperatur. Drift | 0,07 nm/Grad |
| Löttemperatur | 260(5s) Grad |
| Substrat | Cu/Ag |
| Gehäuse-Betriebstemp | -40~80 Grad |
| Lagertemp | -40~105 Grad |
LIV-Diagramm und Wellenlänge
Mechanische Schaltpläne (Einheit: mm)
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SMT-Reflow-Lötkurve
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