VCSEL Bare Chip 808 nm 100 W Multi-Vertikal-Emitter

VCSEL Bare Chip 808 nm 100 W Multi-Vertikal-Emitter

Artikelname:VC808ME100
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Beschreibung

Brandnew Technology, einer der führenden Hersteller und Lieferanten von Diodenlasern in China, verfügt über eine professionelle Fabrik, die hochwertige Vcsel-Bare-Chip-808-nm-100-W-Multi-Vertikal-Emitter herstellt und zu wettbewerbsfähigen Preisen verkauft. Willkommen beim Großhandel mit unseren in China hergestellten Produkten.

 

VCSEL Bare Chip 808 nm 100 W Multi-Vertikal-Emitter

 

Merkmale:

  • Leistungsstarker 808-nm-VCSEL-Bare-Chip
  • 100 W Leistung im CW/QCW-Modus.
  • 20 Grad Standarddivergenzwinkel für gleichmäßige Ausleuchtung.

Anwendungen:

  • Hochleistungspumpen für Festkörperlaser. Als Pumpquelle mit hoher-Helligkeit für Festkörperlaser und Faserlaser.
  • Laserbeleuchtung und Flutlicht werden in Aktiv-Infrarot-Beleuchtungssystemen für die Fernüberwachung, LiDAR-Zusatzbeleuchtung für autonomes Fahren und Nachtsichtgeräte eingesetzt.
  • Medizinische und ästhetische LasersystemeIntegriert in medizinische Hochleistungsgeräte für Lasertherapie, dermatologische Behandlungen und chirurgische Zusatzheizung.
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Dieser 808-nm-100-W-Multi-Emitter-VCSEL-Bare-Chip kombiniert eine extrem hohe Ausgangsleistung, einen flexiblen CW/QCW-Betrieb und einen Divergenzwinkel von 20 Grad für vielseitige Einsatzmöglichkeiten. Mit überlegener Strahlgleichmäßigkeit, thermischer Stabilität und Bare-Chip-Formfaktor ist es eine ideale Hochleistungslösung für Laserpumpen, Infrarotbeleuchtung, industrielle Wärmeverarbeitung und medizinische Lasersysteme.

 

Datenblatt

Artikel-Nr.: VC808ME100

Optisch  
Mittenwellenlänge 808 nm
Wellenlängentoleranz ±10 nm
Ausgangsleistung ~95W
Arbeitsmodus CW/QCW
Divergenzwinkel 20 Grad
Chipgröße 6*5mm
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 100A
Schwellenstrom Ith 15A
Betriebsspannung Vop 2.2V
Thermal  
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40~+105 Grad
Wellenlängenkoeffizient 0,07 nm/Grad

 

LIV-Diagramm:

 

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