10 W 940 nm F-Mount-Laserdiode

F-Mount ist der übliche Gehäusetyp von Einzelemitter-Laserdioden. Der Wärmefluss von der aktiven Schicht der Laser-Heterostruktur ist gleichmäßig. Die Grundfläche des Kühlkörpers ist parallel. Dies zeigt die konzeptionelle Machbarkeit, die Temperatur der aktiven Schicht bei hohen thermischen Belastungen zu senken und den Temperaturunterschied entlang der Länge des Laserdiodenkristalls erheblich zu verringern, was sich auch vorteilhaft auf die thermischen Bedingungen des Kristalls auswirken und die Ausgangsparameter des Laserdiodenkristalls verbessern kann Kristall.