180 W 905 nm TO56 2Pins-Laserdiode

180 W 905 nm TO56 2Pins-Laserdiode

Artikel-Nr.: TO905DL180
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Beschreibung

Hangzhou Brandnew Technology Co., Ltd. ist einer der führenden Hersteller und führenden Lieferanten Chinas für fortschrittliche 180-W-905-nm-Pins-Laserdioden. Wir betreiben eine hochmoderne Fabrik und sind auf das gesamte Produktionsspektrum spezialisiert – von Hochleistungschips, TO/F/C-Montagen, COS- und MCC-Stäben bis hin zu robusten Stapeln und fortschrittlichen fasergekoppelten Lösungen.

 

180 W 905 nm TO56 2Pins-Laserdiode

 

Merkmale:

  • Nimmt die Quantentopf-Tunnel-Junction-Technologie an.
  • Kombiniert mit dem Golddiffusionsverpackungsverfahren.
  • Einstellbare Impulsbreite von 1 ns bis 100 ns
  • Abmessungen des lichtemittierenden Chips: 110 μm × 30 μm.

Anwendungen:

  • LiDAR und Hindernisvermeidung im Automobilbereich
  • Industrielle hochpräzise Laserentfernungsmessung
  • Optische Distanzerkennungs- und Sicherheitserkennungsgeräte
1W 1725nm TO9 Package Diode Laser With PD

 

Diese Serie von 905-nm-TO56-Zwei-Pin-Laserdioden ist in den Leistungsstufen 150 W und 180 W erhältlich. Ausgestattet mit einem fortschrittlichen Tunnel-Junction-Chip und einer Golddiffusionsverpackung verfügen sie über eine einstellbare schmale Impulsbreite und eine kleine Lichtemissionsfläche. Mit den lokalen Herstellungsvorteilen niedriger Kosten und hoher Haltbarkeit dienen sie als zentrale gepulste Lichtquellen, die häufig in Laserentfernungs-, optischen Sensor- und LiDAR-Systemen eingesetzt werden.

 

 

Datenblatt

Artikel-Nr.: TO905DL180

Optisch Typischer Wert
Mittenwellenlänge 905 nm
Wellenlängentoleranz ±10 nm
Ausgangsleistung 180W
Schnelle Achsendivergenz 30 Grad
Langsame Achsendivergenz 10 Grad
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 35A
Schwellenstrom Ith 1A
Betriebsspannung Vop 40V
Arbeitszyklus 0.05%
Frequenz 1kHz
Impulsbreite 100ns
Thermal  
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40~80 Grad

 

Zeichnung:

product-880-429

 

 

 

 

 

 

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