2 W 660 nm TO9-Gehäuse-Diodenlaser

 

 

2 W 660 nm TO9-Gehäuse-Diodenlaser

Merkmale:

• 2W blaue Laserdiode bei 660nm

• Hoch fokussierbar und gut-kollimierbar

• Kompakt bis 9 mm bis-Dosenverpackung

• Großer Betriebstemperaturbereich von 0 bis 65 Grad

• Die blaue Galliumnitrid-Lasertechnologie ermöglicht eine längere Lebensdauer bei erhöhten Temperaturen

 

Anwendung:

• Oximetrie
• Materialprüfung und -analyse
• Fluoreszenzanregung
• Laserprojektor
• Prüfung der Lebensmittelqualität

Spezifikation

Artikel-Nr.: TO660DL2

Artikelbezeichnung: 660 nm 2 W TO-Diodenlaser

Zeichnung:

Zur Montage gehören folgende Wellenlängen: 405 nm, 445 nm, 450 nm, 520 nm, 635 nm, 638 nm, 640 nm, 650 nm, 660 nm, 780 nm, 785 nm, 795 nm,808 nm, 810 nm, 830 nm, 850 nm, 860 nm, 905 nm, 940 nm, 980 nm, 1050 nm, 1060 nm, 1064 nm, 1300 nm, 1310 nm, 1550 nm, 1653 nm, 2004 nm, 2327 nm usw.

Auch andere Wellenlängen können individuell angepasst werden, gerne anfragen!

2 W 660 nm TO9-Gehäuse-Diodenlaser Im Vergleich zu anderen Hochleistungs-Halbleiterlasern ist diese rote Laserdiode relativ unbeeinflusst von der Betriebstemperatur, mit einem Gehäuse-Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 80 °C. Die typische Lebensdauer bei 25 Grad beträgt 20.000 Stunden. Daher ist diese rote Laserdiode eine zuverlässige Wahl für eine Vielzahl von Umgebungen und Anwendungen. Darüber hinaus verfügt dieser GaN-Laser über ein spezielles TO5-Gehäuse (9 mm), das ihm einen geringeren thermischen Widerstand verleiht, als es für Laserdioden dieser Leistungsstufe typisch ist. Die 9-mm-TO--Dose ist außerdem hermetisch versiegelt und schützt so den Halbleiterlaserchip vor Staub und anderen Verunreinigungen. Im Gegensatz dazu erfordern Hochleistungs-Rot- und Nahinfrarot-Laserdioden typischerweise ein C-Typ-Gehäuse mit freiliegenden Oberflächen.

Beliebte label: 2W 660nm to9 Package Diodenlaser Lieferanten, Hersteller China, Fabrik, Großhandel, hergestellt in China