300 mW 808 nm bis 9 mm Laserdiode
Die Basis der 300-mW-808-nm-TO-9-mm-Laserdiode besteht aus einer Kombination aus Laserdioden (LD) und Transistorumrissen (TO), wobei die Laserdiode ein Halbleiterlaser ist, der stimulierte Strahlung erzeugt, indem er Strom in den Halbleiter-PN-Übergang injiziert, um eine Besetzungsinversionsverteilung zu erreichen, und dann die positive Rückkopplung des Resonanzhohlraums nutzt, um eine Lichtverstärkung zu erreichen und eine Laseroszillation zu erzeugen
Merkmale:
Ausgangsleistung: 100 mW-500 mW
Bis 9 mm Paket
Anderes Paket C-Mount oder F-Mount verfügbar
Enge Strahldivergenz.
Hohe Laserleistungsdichte.
Datenblatt:
Artikel-Nr.: LD808TO300
Artikelbezeichnung: 300 mW, 808 nm, 9 mm bis LD
| Optisch | |
| Mittenwellenlänge | 808 nm |
| Wellenlängentoleranz | ±5nm |
| Ausgangsleistung | 300 mW |
| Schnelle Achsendivergenz | 35 Grad |
| Langsame Achsendivergenz | 10 Grad |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 300mA |
| Schwellenstrom Ith | 80mA |
| Arbeitsspannung | 2V |
| LD-Sperrspannung | <2V |
| Pisteneffizienz | 1.1W/A |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur | -40~70 Grad |
| Lagertemperatur | -40~80 Grad |
Zeichnung:
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