650 nm 100 mW 5,6 mm TO-Mount-Laserdiode

650 nm 100 mW 5,6 mm TO-Mount-Laserdiode

Artikel-Nr.: TO650DL100
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Beschreibung

650 nm 100 mW 5,6 mm TO-Mount-Laserdiode

Die 650-nm-100-mW-5,6-mm-TO-Mount-Laserdiode ist ein leistungsstarker, hocheffizienter AlGaInP-Halbleiterlaser, der eine stabile Single-Transversal-Mode-Oszillation mit einer Emissionswellenlänge von 650 nm und einer Standard-Pulslichtleistung von 100 mW liefert.

650nm 100mW 5,6mm TO-Mount Laserdiode hat einen Echtindex-Wellenleiter, der die Steigungseffizienz (Reduzierung des Betriebsstroms) und den astigmatischen Abstand verbessert.

Außerdem hat die 650 nm 100 mW 5,6 mm TO-Mount Laserdiode eine Fensterspiegelfacette, die die maximale Ausgangsleistung verbessert. Dies führt zu einem äußerst zuverlässigen und leistungsstarken Betrieb bei 75 Grad.


diode

202206301526179202

Datenblatt:

Artikel-Nr.: TO650DL100

Optisch
Mittlere Wellenlänge 650nm
Wellenlängentoleranz ±10nm
Ausgangsleistung 100mW
Elektrisch
Betriebsstrom Iop 0.13A
Schwellenstrom Ith 0.06A
Betriebsspannung 2.4V
Thermal
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40~80 Grad


Zeichnung:

size


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