808 nm 50 W VCSEL-Chip
Merkmale:
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Hohe Leistungsdichte
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Hohe Effizienz
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Im Vergleich zu kantenemittierenden Lasern (EEL) bieten VCSELs symmetrischere, runde Strahlpunkte, die sich optisch leichter formen lassen.
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Große Emissionsfläche und 2D-Array-Aufbau: Geeignet für die Leistungsskalierung in modularen Systemen.
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Kompakte Verpackung: Ideal für die Integration in kompakte und massenproduzierte Geräte.
Anwendung:
- Laserpumpquelle
- Medizinische und ästhetische Geräte
- Spektroskopie und Bildgebung
- TOF/LiDAR/Sensoren
Der 808-nm-50-W-VCSEL-Chip (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) ist eine leistungsstarke, schmalbandige-Infrarotlaserquelle mit vertikal emittiertem Licht. Es wird hauptsächlich in Systemen wie Laserpumpen, Materialerwärmung und biomedizinischen Anwendungen eingesetzt. Seine vertikale Emissionsstruktur ermöglicht eine einfache Integration in 2D-Arrays zur Verbesserung der Leistungsdichte.
Datenblatt
Artikel-Nr.:VC808ME50
Artikelname: 808 nm 50 W Multi-Emitter-VCSEL-Chip
| Optisch | Typischer Wert |
| Mittenwellenlänge λ | 808 nm |
| Wellenlängentoleranz | ±10 nm |
| Ausgangsleistung | 50W |
| Arbeitsmodus | CW |
| Volle Divergenz | 20 Grad |
| Chipgröße | 5*5mm |
| Elektrisch | |
| Schwellenwert Strom Lth | 15A |
| Betriebsstromschleife | 60A |
| Betriebsspannung Vop | 2V |
| Thermal | |
| Testtemperatur | 25 Grad |
| Lagertemperatur | -40~105 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,07 nm/Grad |
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