200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Gehäuse

200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Gehäuse

Artikel-Nr.:VC940SMD02
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Beschreibung

 

200 mW 940 nm VCSEL-Laserdiode im 2016 SMD-Gehäuse

 

Überblick

 

Hauptmerkmale:

Einzelne Wellenlänge

Geringe Wellenlängendrift

Oxidisolationstechnologie

Niedriger Schwellenstrom

Hohe Zuverlässigkeit

Einfach zu kollimieren

Anwendungen:

3D-Sensoren

Gestenerkennung

IR-Beleuchtung

Medizinische Anwendungen

Breitband-Zugangsnetz

200mW 940nm VCSEL SMD 2016 Package

 

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Notiz

1. Belastungen, die größer sind als die unter „Absolute Höchstwerte“ aufgeführten, können zu dauerhaften Schäden am 200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Gehäuse des Geräts führen. Hierbei handelt es sich lediglich um eine Belastungsbewertung. Der funktionale Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die im Abschnitt „Betrieb“ angegebenen hinausgehen, über einen längeren Zeitraum hinweg kann die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.

2. Der Betrieb des VCSEL SMD 2016-Gehäuses mit seiner maximalen Nennleistung von 200 mW und 940 nm kann seine Leistung beeinträchtigen oder ein potenzielles Sicherheitsrisiko wie einen Geräteausfall verursachen.

3. Elektrostatische Entladung ist der Hauptgrund für den Laserfehler des 200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Pakets. Treffen Sie wirksame Vorkehrungen gegen ESD. Verwenden Sie beim Umgang mit Laserdioden ein Armband, eine geerdete Arbeitsfläche und strenge Antistatik-Technologie.

Spezifikationen:

 

Parameter

Typ.

Optische Impulsleistung

200 mW

Schwellenstrom

0.05A

Emissionsgebiet

226*215um

Spitzenwellenlänge

940 nm

Laserdurchlassspannung

2.4V

Abstrahlwinkel

20 Grad

Wellenlängenverschiebung

0,07 nm/Grad

Gehäuse-Betriebstemp

-40~85 Grad

Lagertemp

-40~80 Grad

 

Paketzeichnung:

 

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