200 mW 940 nm VCSEL-Laserdiode im 2016 SMD-Gehäuse
Überblick
Hauptmerkmale:
Einzelne Wellenlänge
Geringe Wellenlängendrift
Oxidisolationstechnologie
Niedriger Schwellenstrom
Hohe Zuverlässigkeit
Einfach zu kollimieren
Anwendungen:
3D-Sensoren
Gestenerkennung
IR-Beleuchtung
Medizinische Anwendungen
Breitband-Zugangsnetz


Notiz
1. Belastungen, die größer sind als die unter „Absolute Höchstwerte“ aufgeführten, können zu dauerhaften Schäden am 200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Gehäuse des Geräts führen. Hierbei handelt es sich lediglich um eine Belastungsbewertung. Der funktionale Betrieb des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die im Abschnitt „Betrieb“ angegebenen hinausgehen, über einen längeren Zeitraum hinweg kann die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.
2. Der Betrieb des VCSEL SMD 2016-Gehäuses mit seiner maximalen Nennleistung von 200 mW und 940 nm kann seine Leistung beeinträchtigen oder ein potenzielles Sicherheitsrisiko wie einen Geräteausfall verursachen.
3. Elektrostatische Entladung ist der Hauptgrund für den Laserfehler des 200 mW 940 nm VCSEL SMD 2016-Pakets. Treffen Sie wirksame Vorkehrungen gegen ESD. Verwenden Sie beim Umgang mit Laserdioden ein Armband, eine geerdete Arbeitsfläche und strenge Antistatik-Technologie.
Spezifikationen:
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Parameter |
Typ. |
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Optische Impulsleistung |
200 mW |
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Schwellenstrom |
0.05A |
| Emissionsgebiet |
226*215um |
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Spitzenwellenlänge |
940 nm |
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Laserdurchlassspannung |
2.4V |
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Abstrahlwinkel |
20 Grad |
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Wellenlängenverschiebung |
0,07 nm/Grad |
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Gehäuse-Betriebstemp |
-40~85 Grad |
|
Lagertemp |
-40~80 Grad |
Paketzeichnung:

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