300 mW 500 mW 974 nm Singlemode-Bare-Bar-Laserchip

300 mW 500 mW 974 nm Singlemode-Bare-Bar-Laserchip

300 mW 500 mW 974 nm Einzelemitter, unmontierter Laserbarren-Laserchip
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Beschreibung

300 mW 500 mW 974 nm Singlemode-Bare-Bar-Laserchip

Überblick

 

Merkmale:

>Arbeitsmodus: CW

>Längsmodus: Single

>Emitterbreite: 4 um

>Hohlraumbreite: 640 um-660 um

>Hohlraumlänge: 3490 um-3510 um

>Hohlraumdicke: 115 um-135 um

Anwendung:

Laserchips haben ein breites Anwendungsspektrum, unter anderem in den Bereichen Kommunikation, Medizin, Industrie, Automobil und Militär.

Kommunikation: Laserchips werden am häufigsten im Kommunikationsbereich eingesetzt. In der Glasfaserkommunikation werden Galliumnitrid-Laserchips als optische Hochgeschwindigkeitssignalsender verwendet, um elektrische Signale in optische Signale umzuwandeln, die dann über Glasfasern an das Empfangsende übertragen werden. Das Empfangsende wandelt dann die optischen Signale zur Datenverarbeitung in elektrische Signale um. Darüber hinaus werden Galliumnitrid-Laserchips auch in der Satellitenkommunikation eingesetzt, um den Anforderungen von Hochleistungslasern gerecht zu werden.

Single Emitter Laser Chip on Submount Package

Datenblatt:

 

Optisch Min Typ Max Einheit
Zentrale Wellenlänge 969 974 979 nm
Ausgangsleistung   300 500 mW
Spektrumbreite   1.6 2 nm
Steigungseffizienz 0.75 0.8   W/A
Elektrisch Min Typ Max Einheit
Betriebsstrom Iop 600 700 800 mA
Schwellenstrom Ith   30   mA
Betriebsspannung Vop 1.5 1.7 1.9 V
Umwandlungseffizienz 35 40   %
Thermal Min Typ Max Einheit
Betriebstemperatur 15 20 25 Grad
Koeffizient   0.3   nm/Grad

 

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