300 mW 500 mW 974 nm Singlemode-Bare-Bar-Laserchip
Überblick
Merkmale:
>Arbeitsmodus: CW
>Längsmodus: Single
>Emitterbreite: 4 um
>Hohlraumbreite: 640 um-660 um
>Hohlraumlänge: 3490 um-3510 um
>Hohlraumdicke: 115 um-135 um
Anwendung:
Laserchips haben ein breites Anwendungsspektrum, unter anderem in den Bereichen Kommunikation, Medizin, Industrie, Automobil und Militär.
Kommunikation: Laserchips werden am häufigsten im Kommunikationsbereich eingesetzt. In der Glasfaserkommunikation werden Galliumnitrid-Laserchips als optische Hochgeschwindigkeitssignalsender verwendet, um elektrische Signale in optische Signale umzuwandeln, die dann über Glasfasern an das Empfangsende übertragen werden. Das Empfangsende wandelt dann die optischen Signale zur Datenverarbeitung in elektrische Signale um. Darüber hinaus werden Galliumnitrid-Laserchips auch in der Satellitenkommunikation eingesetzt, um den Anforderungen von Hochleistungslasern gerecht zu werden.

Datenblatt:
| Optisch | Min | Typ | Max | Einheit |
| Zentrale Wellenlänge | 969 | 974 | 979 | nm |
| Ausgangsleistung | 300 | 500 | mW | |
| Spektrumbreite | 1.6 | 2 | nm | |
| Steigungseffizienz | 0.75 | 0.8 | W/A |
| Elektrisch | Min | Typ | Max | Einheit |
| Betriebsstrom Iop | 600 | 700 | 800 | mA |
| Schwellenstrom Ith | 30 | mA | ||
| Betriebsspannung Vop | 1.5 | 1.7 | 1.9 | V |
| Umwandlungseffizienz | 35 | 40 | % |
| Thermal | Min | Typ | Max | Einheit |
| Betriebstemperatur | 15 | 20 | 25 | Grad |
| Koeffizient | 0.3 | nm/Grad |
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