300 W 808 nm Diodenlaserchips

300 W 808 nm Diodenlaserchips

Betriebsart QCW
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Beschreibung

 

300 W 808 nm Diodenlaserchips

Single Emitter Laser Chip
 
 

Produktbeschreibung

Die Anwendung von Laserchips in der Industrie spiegelt sich hauptsächlich in der Verwendung von Hochleistungslaserchips wider, die mit ihrer hohen Leistung, ihrem hohen Wirkungsgrad und ihrer geringen Größe zur „Stromquelle“ in industriellen Anwendungen geworden sind. Insbesondere Hochleistungs-EEL-Laserchips haben großes Potenzial für industrielle Anwendungen gezeigt, insbesondere in den Bereichen Pumpquellen und Laserbearbeitung. Zu den größten Merkmalen dieser Chips gehören eine hohe optische Leistung, die bei hoher Stromdichte erzeugt wird, eine hohe elektro-optische Umwandlungseffizienz, ein hoher Polarisationsgrad und ein kleiner Divergenzwinkel, was sie zur idealen Wahl für viele anspruchsvolle Anwendungen macht.

 

 

Datenblatt:

Artikel-Nr.: LC808SB300

 

Betrieb  
Mittenwellenlänge 808 nm
Ausgangsleistung 300W
Betriebsmodus QCW
Geometrisch  
Emitterbreite 120 um
Hohlraumlänge 1500 um
Emitterbreite 120 um
Emitterabstand 160 um
Elektrooptische Daten  
Schwellenstrom 30A
Betriebsstrom 280A
Betriebsspannung 1.9V
Steigungseffizienz 1.2W/A
Gesamtumwandlungseffizienz 55%
Langsame Achsendivergenz 12
Schnelle Achsendivergenz 39
Spektrale Breite 4nm
Polarisation TE

 

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