300-W-801-nm-Diodenlaser-Chipleiste
300-W-801-nm-Diodenlaserchip-Riegel mit 60 Emittern, bietet einen Füllfaktor von 75 Prozent und erzeugt eine QCW-Laserausgangsleistung von bis zu 300 W bei einer Wellenlänge von 940 nm. Stabbreite 10000 μm; Hohlraumlänge 1500 μm; Dicke 130 μm
Dies ist die stabilste, effizienteste und kostengünstigste Möglichkeit, qualitativ hochwertige Laserstrahlen zu erzeugen.
Besonderheit
801 nm Mittenwellenlänge mit 2 nm Toleranz
0.35 nm/Grad Wellenlängen-Temperaturkoeffizient
Lange Lebensdauer über 10.000 Stunden
Hohe Zuverlässigkeit und Stabilität
Anwendung
Medizinisch
Wissenschaftlich
Faserquelle

Datenblatt:
Artikel-Nr.: LC801SB300
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Optisch |
Typ |
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Zentrale Wellenlänge |
801nm |
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Ausgangsleistung |
300W |
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Arbeitsmodus |
QCW |
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Spektrumbreite |
4nm |
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Anzahl der Emitter |
60 |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 39 Grad |
| Langsame Achsendivergenz (FWHM) | 12 Grad |
| Polarisationsmodus | TE |
| Steigungseffizienz | 1.2W/A |
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Elektrisch |
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Betriebsstrom Iop |
280A |
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Schwellenstrom Ith |
30A |
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Betriebsspannung Vop |
1.9V |
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Umwandlungseffizienz |
55 Prozent |
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Thermisch |
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Betriebstemperatur |
25 Grad |
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Wellenlängen-Temperaturkoeffizient |
0.3nm/Grad |
PIV-Diagramm

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