300-W-801-nm-Diodenlaser-Chipleiste

300-W-801-nm-Diodenlaser-Chipleiste

Artikel-Nr.: LC801SB300
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Beschreibung
Brandnew Technology, einer der führenden Hersteller und Lieferanten von Diodenlasern in China, verfügt über eine professionelle Fabrik, die hochwertige 300-W-801-nm-Diodenlaserchips herstellt und zu wettbewerbsfähigen Preisen verkauft. Willkommen beim Großhandel mit unseren in China hergestellten Produkten.

 

300-W-801-nm-Diodenlaser-Chipleiste

   

300-W-801-nm-Diodenlaserchip-Riegel mit 60 Emittern, bietet einen Füllfaktor von 75 Prozent und erzeugt eine QCW-Laserausgangsleistung von bis zu 300 W bei einer Wellenlänge von 940 nm. Stabbreite 10000 μm; Hohlraumlänge 1500 μm; Dicke 130 μm

Dies ist die stabilste, effizienteste und kostengünstigste Möglichkeit, qualitativ hochwertige Laserstrahlen zu erzeugen.

 

Besonderheit

801 nm Mittenwellenlänge mit 2 nm Toleranz

0.35 nm/Grad Wellenlängen-Temperaturkoeffizient

Lange Lebensdauer über 10.000 Stunden

Hohe Zuverlässigkeit und Stabilität

Anwendung

Medizinisch

Wissenschaftlich

Faserquelle

 

10W 940nm Laser Diode Bare Bar

 

Datenblatt:

Artikel-Nr.: LC801SB300

Optisch

Typ

Zentrale Wellenlänge

801nm

Ausgangsleistung

300W

Arbeitsmodus

QCW

Spektrumbreite

4nm

Anzahl der Emitter

60

Schnelle Achsendivergenz (FWHM) 39 Grad
Langsame Achsendivergenz (FWHM) 12 Grad
Polarisationsmodus TE
Steigungseffizienz 1.2W/A

Elektrisch

 

Betriebsstrom Iop

280A

Schwellenstrom Ith

30A

Betriebsspannung Vop

1.9V

Umwandlungseffizienz

55 Prozent

Thermisch

 

Betriebstemperatur

25 Grad

Wellenlängen-Temperaturkoeffizient

0.3nm/Grad

 

PIV-Diagramm

43R2FPUP[GYL89)S)$W))A3

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