100 W 808 nm Laserdiodenbarren

100 W 808 nm Laserdiodenbarren

100 W 808 nm Einzelbalken-Laserchip
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Beschreibung

100 W 808 nm Laserdiodenbarren

 

20W 940nm Single Emitter Laser Chip
 
 

Produktbeschreibung

• Stäbe mit niedrigem Füllfaktor (typischerweise weniger als oder gleich 30 % Füllfaktor) mit niedrigem Strahlparameter-Produkt (BPP), das für die Faserkopplung geeignet ist
• Hoch-Leistungsstäbe (typisch. 50% Füllfaktor) für bis zu 300 W Dauerstrich- und harten-Pulsbetrieb (HP), geeignet für optisches Pumpen und Direkt-Dioden-Laseranwendungen (DDL).
• QCW-Stäbe (typ. FF > 65 % Füllfaktor): für bis zu 500 W qcw- und langen -Pulsbetrieb (LP), geeignet für optisches Pumpen und medizinische Anwendungen
Vorteile:
• Höchste Qualität: Wir überwachen die Produktion unserer Halbleiterprodukte streng in klar definierten Prozessen.
• Leistungsstark: Hohe, zuverlässige Ausgangsleistung und ideale Strahleigenschaften.
• Wirtschaftlich: Unsere Halbleiter sind sehr effizient und zeichnen sich durch eine lange Lebensdauer aus.

Datenblatt:

Artikel-Nr.: LC808SB100

Optisch

Typ

Zentrale Wellenlänge

808 nm

Ausgangsleistung

100W

Arbeitsmodus

CW

Spektrumbreite

4nm

Anzahl der Emitter

47

Emitterbreite

100μm

Emitterabstand

200μm

Füllfaktor

50%

Balkenbreite

10000μm

Elektrisch

 

Betriebsstrom Iop

105A

Schwellenstrom Ith

18A

Betriebsspannung Vop

1.8V

Umwandlungseffizienz

55%

Thermal

 

Betriebstemperatur

15-35 Grad

Wellenlängen-Temperaturkoeffizient

0,28 nm/Grad

 

 

202003181418552430667

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