50 W 808 nm Laserdioden-Laserbarren

50 W 808 nm Laserdioden-Laserbarren

50 W 808 nm Einzelbalken-Laserchip
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Beschreibung

 

50 W 808 nm Laserdioden-Laserbarren

100W 808nm Laser Diode Bare Bar

Produktbeschreibung

Brandneue unmontierte Stangen haben den Standard für hohe Zuverlässigkeit in realen Anwendungen gesetzt. Und Brandnew treibt seine Fortschritte weiter voran, mit kontinuierlichen Fortschritten in den Bereichen Leistung, Helligkeit, Effizienz und Divergenz.

Zu den Wellenlängen gehören 780–830 nm, 880 nm, 905–980 nm, 1064 nm und 1400–1500 nm. Stäbe und Chips sind in verschiedenen Füllfaktoren, Streifenbreiten, Stabbreiten und Hohlraumlängen erhältlich und es können kundenspezifische Optionen entwickelt werden, um Ihren individuellen Anforderungen gerecht zu werden.

Datenblatt:

 

Optisch Min Typ Max Einheit
Zentrale Wellenlänge 798 808 818 nm
Ausgangsleistung   50   W
Arbeitsmodus   CW    
Spektrumbreite   4   nm
Anzahl der Emitter   19    
Emitterbreite   150   μm
Emitterabstand   500   μm
Füllfaktor   30   %
Balkenbreite 9800 10000 10200 μm
Hohlraumlänge 990 1000 1010 μm
Dicke 115 125 135 μm
Schnelle Achsendivergenz (FWHM)   39   Grad
Slow-Axis-Divergenz (FWHM)   9   Grad
Polarisationsmodus   TE    
Steigungseffizienz 1.05 1.15   W/A
Elektrisch Min Typ Max Einheit
Betriebsstrom Iop   48.5 50.5 A
Schwellenstrom Ith   6   A
Betriebsspannung Vop   1.8 2 V
Umwandlungseffizienz 52 57   %
Thermal Min Typ Max Einheit
Betriebstemperatur 15 25 35 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient   0.28   nm/Grad

 

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