100 W 980 nm CW-Arbeitsmodus-Diodenlaserchip mit 47 Emittern für die Pumpquelle
Merkmale:
- 100 W Ausgangsleistung bei 780 nm ZentralwellenlängeAußerdem
- CW-Arbeitsmodus;
- Multi-Emitter;
- 47 Emitter;
- Neues epitaktisches Strukturdesign und Materialepitaxie;
- Wir bieten auch 100 W 808 nm, 300 W 808 nm, 500 W 808 nm, 100 W 970 nm …
Anwendung:
Halbleiter für Hochleistungsdiodenlaser in der direkten Materialbearbeitung
Zum Heizen oder Beleuchten

Unser 100-W-980-nm-Diodenlaserchip im CW-Arbeitsmodus mit 47 Emittern für die Pumpquelle verfügt über eine unglaubliche Ausgangsleistung bei einer zentralen Wellenlänge von 780 nm, einen Multi-Emitter und ein neues epitaktisches Strukturdesign. Dieser Chip wird die direkte Materialverarbeitung, Erwärmung und Beleuchtung in der Halbleiterindustrie revolutionieren. Es eignet sich für Hochleistungsdiodenlaser und bietet unübertroffene Leistung mit einer beeindruckenden Auswahl an Optionen, darunter 100 W 808 nm, 300 W 808 nm, 500 W 808 nm und 100 W 970 nm. Dieses Produkt ist die perfekte Lösung für Unternehmen, die ihre Präzision und Effizienz steigern möchten. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über den 100-W-980-nm-CW-Arbeitsmodus-Diodenlaserchip mit 47 Emittern für die Pumpquelle zu erfahren und Ihr Unternehmen auf die nächste Stufe zu bringen.
Datenblatt
Artikel-Nr.: FC980SB100
Artikelname: 980 nm 100 W Einzelbalken-Laserchip
| Optisch | Typischer Wert |
| Zentrale Wellenlänge | 980 nm |
| Ausgangsleistung | 100W |
| Anzahl der Emitter | 47 |
| Emitterbreite | 100 um |
| Emitterabstand | 200 um |
| Hohlraumlänge | 1500 um |
| Stablänge |
10mm |
| Stabdicke | 115 um |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 105A |
| Schwellenstrom Ith | 15A |
| Betriebsspannung Vop | 1.6V |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur | 25 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,35 nm/Grad |
| Lagertemperatur | -40~80 Grad |

Als Verstärkungsmedium für ECLs werden Halbleiterlaserdioden verwendet. Eine Laserdiode ist ein Halbleiterbauelement mit einer Länge von etwa 250 bis 500 μm und einer Dicke von 60 μm, das auf einem Kühlkörper aus Kupfer oder Keramik montiert ist. Der Strom wird durch den oberen ohmschen Kontakt eingespeist. Photonen werden durch die Epitaxieschichten der Struktur erzeugt und geleitet. Die dünne Schicht, in der Elektronen und Löcher rekombinieren, um Licht zu erzeugen, wird als aktive Region bezeichnet. Die stimulierte Emission im aktiven Bereich bildet die Grundlage der Laserwirkung, die durch optische Rückkopplung von den Facetten oder einem externen Hohlraum angetrieben wird.
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