Hochleistungs-100-W-980-nm-Dioden-Einzelemitter-Laserbarren-Chip-Halbleiterprodukt

Hochleistungs-100-W-980-nm-Dioden-Einzelemitter-Laserbarren-Chip-Halbleiterprodukt

Artikel-Nr.: LC980SB100
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Beschreibung

 

 

100 W 980 nm CW-Arbeitsmodus-Diodenlaserchip mit 47 Emittern für die Pumpquelle

 

Merkmale:

  • 100 W Ausgangsleistung bei 780 nm ZentralwellenlängeAußerdem
  • CW-Arbeitsmodus;
  • Multi-Emitter;
  • 47 Emitter;
  • Neues epitaktisches Strukturdesign und Materialepitaxie;
  • Wir bieten auch 100 W 808 nm, 300 W 808 nm, 500 W 808 nm, 100 W 970 nm …

Anwendung:

Halbleiter für Hochleistungsdiodenlaser in der direkten Materialbearbeitung

Zum Heizen oder Beleuchten

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Unser 100-W-980-nm-Diodenlaserchip im CW-Arbeitsmodus mit 47 Emittern für die Pumpquelle verfügt über eine unglaubliche Ausgangsleistung bei einer zentralen Wellenlänge von 780 nm, einen Multi-Emitter und ein neues epitaktisches Strukturdesign. Dieser Chip wird die direkte Materialverarbeitung, Erwärmung und Beleuchtung in der Halbleiterindustrie revolutionieren. Es eignet sich für Hochleistungsdiodenlaser und bietet unübertroffene Leistung mit einer beeindruckenden Auswahl an Optionen, darunter 100 W 808 nm, 300 W 808 nm, 500 W 808 nm und 100 W 970 nm. Dieses Produkt ist die perfekte Lösung für Unternehmen, die ihre Präzision und Effizienz steigern möchten. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über den 100-W-980-nm-CW-Arbeitsmodus-Diodenlaserchip mit 47 Emittern für die Pumpquelle zu erfahren und Ihr Unternehmen auf die nächste Stufe zu bringen.

 

 

Datenblatt

Artikel-Nr.: FC980SB100

Artikelname: 980 nm 100 W Einzelbalken-Laserchip

Optisch Typischer Wert
Zentrale Wellenlänge 980 nm
Ausgangsleistung 100W
Anzahl der Emitter 47
Emitterbreite 100 um
Emitterabstand 200 um
Hohlraumlänge 1500 um
Stablänge

10mm

Stabdicke 115 um
Elektrisch
Betriebsstrom Iop 105A
Schwellenstrom Ith 15A
Betriebsspannung Vop 1.6V
Thermal
Betriebstemperatur 25 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0,35 nm/Grad
Lagertemperatur -40~80 Grad

LASER CHIP

Als Verstärkungsmedium für ECLs werden Halbleiterlaserdioden verwendet. Eine Laserdiode ist ein Halbleiterbauelement mit einer Länge von etwa 250 bis 500 μm und einer Dicke von 60 μm, das auf einem Kühlkörper aus Kupfer oder Keramik montiert ist. Der Strom wird durch den oberen ohmschen Kontakt eingespeist. Photonen werden durch die Epitaxieschichten der Struktur erzeugt und geleitet. Die dünne Schicht, in der Elektronen und Löcher rekombinieren, um Licht zu erzeugen, wird als aktive Region bezeichnet. Die stimulierte Emission im aktiven Bereich bildet die Grundlage der Laserwirkung, die durch optische Rückkopplung von den Facetten oder einem externen Hohlraum angetrieben wird.

 

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