3W 5W 8W 808nm Einzelemitter-Laserchip
Wir produzieren unsere Halbleitermaterialien unter strengsten Qualitätskontrollen. Wir arbeiten ausschließlich mit modernster Epitaxie-, Bearbeitungs- und Facettenbeschichtungstechnologie. Unsere Barren, Halbbarren und Einzelemitter für Hochleistungs-Diodenlaser erfüllen daher höchste Ansprüche: Sie sind extrem zuverlässig, effizient und langlebig. Unsere Halbleiterprodukte lassen sich einfach mit Standard-Lötverfahren konfektionieren. Das Material unterstützt sowohl Weichlot (Indium) als auch Hartlot (Gold/Zinn). Standardmäßig liefern wir Ihnen unsere Laserbarren mit p-seitig separierten Emitterstrukturen. Auf Wunsch fertigen wir auch Stäbe mit durchgehender p-Seiten-Metallisierung und angepassten Facettenbeschichtungen unter Verwendung von Low-AR-Beschichtungen für den Aufbau externer Resonatoren.
Artikelnummer.:LC808SE3,LC808SE5,LC808SE8
3W 5W 8W 808nm Einzelemitter-Laserchip
| Betrieb | |||
| Mittlere Wellenlänge | 808nm | 808nm | 808nm |
| Wellenlängentoleranz | 3nm | 3nm | 3nm |
| Ausgangsleistung | 3W | 5W | 8W |
| Betriebsmodus | cw | cw | cw |
| Geometrisch | |||
| Emitterbreite | 20100 um | 200 um | 200 um |
| Hohlraumlänge | 2000um | 2000um | 4000 um |
| Emitter-Pitch | 500 um | 500 um | 600 um |
| Elektrooptische Daten | |||
| Schwellenstrom | 0.4A | 0.8A | 1.25A |
| Betriebsstrom | 2.8A | 4.8A | 8.5A |
| Steigungseffizienz | 1.22W/A | 1.25W/A | 1.2W/A |
| Umwandlungseffizienz | 61 Prozent | 60 Prozent | 55 Prozent |
PIV-Diagramm für 3W 808nm:
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