50 W 850 nm 940 nm gepulste VCSEL-Diode

50 W 850 nm 940 nm gepulste VCSEL-Diode

Multimode-VCSEL
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Beschreibung

 

50 W 850 nm 940 nm gepulste VCSEL-Diode

Überblick

 

Merkmale

Multimode-VCSEL

Oxidisolationstechnologie

SMT-Kompaktgehäuse

Einfach zu kollimieren

Anwendungen:

Mehrkanal-Lidars

Laservorhang

Entfernungsmessersensoren

3D-Sensoren

Näherungssensoren

3D-Erkennung

4

Der Betrieb des Produkts außerhalb seiner maximalen Nennwerte kann zu Geräteausfällen oder einem Sicherheitsrisiko führen. Die mit dem Gerät verwendeten Netzteile müssen so eingesetzt werden, dass die maximale optische Spitzenleistung nicht überschritten werden kann. Für das Gerät ist ein geeigneter Kühlkörper auf dem Wärmekörper erforderlich. Eine ausreichende Wärmeableitung und Wärmeleitung zum Kühlkörper muss gewährleistet sein.

 

Spezifikationen:

Artikel-Nr.: VC850SMD50

Parameter

Typ.

Optische Impulsleistung

50W

Schwellenstrom

0.1A

Vorwärtsimpulsstrom

120A

Emissionsgebiet

370*371um

Spitzenwellenlänge

850 nm/940 nm

Impulsvorwärtsspannung

38V

Abstrahlwinkel

20 Grad

Wellenlängenverschiebung

0,07 nm/Grad

Aufstiegszeit

2ns

Löttemperatur

260 Grad

Gehäuse-Betriebstemp

-40~85 Grad

Lagertemp

-40~105 Grad

 

Mehrere Pakettypen optional

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