50 W 850 nm 940 nm gepulste VCSEL-Diode
Überblick
Merkmale
Multimode-VCSEL
Oxidisolationstechnologie
SMT-Kompaktgehäuse
Einfach zu kollimieren
Anwendungen:
Mehrkanal-Lidars
Laservorhang
Entfernungsmessersensoren
3D-Sensoren
Näherungssensoren
3D-Erkennung

Der Betrieb des Produkts außerhalb seiner maximalen Nennwerte kann zu Geräteausfällen oder einem Sicherheitsrisiko führen. Die mit dem Gerät verwendeten Netzteile müssen so eingesetzt werden, dass die maximale optische Spitzenleistung nicht überschritten werden kann. Für das Gerät ist ein geeigneter Kühlkörper auf dem Wärmekörper erforderlich. Eine ausreichende Wärmeableitung und Wärmeleitung zum Kühlkörper muss gewährleistet sein.
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: VC850SMD50
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Parameter |
Typ. |
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Optische Impulsleistung |
50W |
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Schwellenstrom |
0.1A |
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Vorwärtsimpulsstrom |
120A |
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Emissionsgebiet |
370*371um |
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Spitzenwellenlänge |
850 nm/940 nm |
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Impulsvorwärtsspannung |
38V |
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Abstrahlwinkel |
20 Grad |
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Wellenlängenverschiebung |
0,07 nm/Grad |
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Aufstiegszeit |
2ns |
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Löttemperatur |
260 Grad |
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Gehäuse-Betriebstemp |
-40~85 Grad |
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Lagertemp |
-40~105 Grad |
Mehrere Pakettypen optional
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