VCSEL Unmontierter Chip

VCSEL Unmontierter Chip

Artikel-Nr.:VC808ME50
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Beschreibung

VCSEL Unmontierter Chip

Wellenlänge Leistung Nackter Chip
660 nm 2mW
5mW
10mW
670 nm 4mW
9mW
680 nm 5mW
10mW
50mW
795 nm 1mW
808 nm 100 mW
200 mW
300 mW
400 mW
2W
3W
40W
850 nm 5mW
100 mW
300 mW
500 mW
2W
3W
6W
905 nm 70W
940 nm 5mW
300 mW
500 mW
2W
3W
6W
8W

Überblick

 

Hauptmerkmale

  • Multi{0}}Emitter-Array-Design für skalierbare hohe-Leistung und gleichmäßiges Strahlprofil
  • Enge Emissionswellenlängentoleranz, stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich
  • Kompakter und dünner Formfaktor, der eine hohe Integrationsdichte und Miniaturisierung von Endgeräten ermöglicht
  • Hohe Zuverlässigkeit und lange Betriebslebensdauer, geeignet für Dauerstrich- (CW) und Impulsbetrieb

Anwendungen

  • Optische Kommunikation: Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsmodule, Glasfaser-Transceiver und Rechenzentrumsverbindungen
  • Laserpumpen: Pumpquelle für Festkörperlaser-
  • Unterhaltungselektronik: Smartphone-3D-Kameras, AR/VR-Geräte und Laserdrucker
  • Medizin und Biomedizin: Low-{0}}Lasertherapie, Biosensorik und Fluoreszenzanregung
4W 940nm VCSEL Diode Laser Chip

Datenblatt

Artikel-Nr.:VC808ME50

Parameter Typ.
Mittenwellenlänge 808 ± 10 nm
Ausgangsleistung 50W
Arbeitsmodus CW
Volle Divergenz 20 Grad
Chipgröße 5*5mm
Elektrisch  
Schwellenstrom Ith 15A
Betriebsstrom Iop 60A
Betriebsspannung Vop 2V
Thermal  
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40~+105 Grad
Wellenlängenkoeffizient 0,07 nm/Grad

 

 

LIV-Diagramm

product-867-624

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