VCSEL Unmontierter Chip

VCSEL Unmontierter Chip

Artikel-Nr.:VC808ME50
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Beschreibung

 

VCSEL Unmontierter Chip

Wellenlänge Leistung Nackter Chip
660 nm 2mW √
5mW √
10mW √
670 nm 4mW √
9mW √
680 nm 5mW √
10mW √
50mW √
795 nm 1mW √
808 nm 100 mW √
200 mW √
300 mW √
400 mW √
2W √
3W √
40W √
850 nm 5mW √
100 mW √
300 mW √
500 mW √
2W √
3W √
6W √
905 nm 70W √
940 nm 5mW √
300 mW √
500 mW √
2W √
3W √
6W √
8W √

Überblick

 

Hauptmerkmale

  • Multi{0}}Emitter-Array-Design für skalierbare hohe-Leistung und gleichmäßiges Strahlprofil
  • Enge Emissionswellenlängentoleranz, stabile Leistung über einen weiten Temperaturbereich
  • Kompakter und dünner Formfaktor, der eine hohe Integrationsdichte und Miniaturisierung von Endgeräten ermöglicht
  • Hohe Zuverlässigkeit und lange Betriebslebensdauer, geeignet für Dauerstrich- (CW) und Impulsbetrieb

Anwendungen

  • Optische Kommunikation: Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungsmodule, Glasfaser-Transceiver und Rechenzentrumsverbindungen
  • Laserpumpen: Pumpquelle für Festkörperlaser-
  • Unterhaltungselektronik: Smartphone-3D-Kameras, AR/VR-Geräte und Laserdrucker
  • Medizin und Biomedizin: Low-{0}}Lasertherapie, Biosensorik und Fluoreszenzanregung
4W 940nm VCSEL Diode Laser Chip

Datenblatt

Artikel-Nr.:VC808ME50

Parameter Typ.
Mittenwellenlänge 808 ± 10 nm
Ausgangsleistung 50W
Arbeitsmodus CW
Volle Divergenz 20 Grad
Chipgröße 5*5mm
Elektrisch  
Schwellenstrom Ith 15A
Betriebsstrom Iop 60A
Betriebsspannung Vop 2V
Thermal  
Testtemperatur 25 Grad
Lagertemperatur -40~+105 Grad
Wellenlängenkoeffizient 0,07 nm/Grad

 

 

LIV-Diagramm

product-867-624

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