Halbleiterlaser sind das Herzstück der meisten industriellen Lasersysteme von heute. Ob direkte Materialbearbeitung oder optisches Pumpen von Festkörperlasern, Faserlasern oder Scheibenlasern, die ungefassten Einzelemitter und Barren sind die Schlüsselkomponente für die initiale Umwandlung von elektrischer Energie in Licht.
Unmontierte Hochleistungs-Multimode-Bars mit bis zu 100 W CW- und 500 W QCW-Ausgang
Unmontierte Einzelstrahler bis 10W CW Leistung
Zu den verfügbaren Wellenlängen gehören 635 nm, 650 nm, 808 nm, 980 nm und 1064 nm
Die Umwandlungseffizienz unseres Chips kann 60 Prozent erreichen und die Lebensdauer kann mehr als 10000 Stunden betragen. Darüber hinaus übernimmt der Chip auch ein neues Design der Epitaxiestruktur und Materialepitaxie, fortschrittliches Design und Vorbereitungstechnologie für Fenster ohne Pumpe sowie Nass- und Trockenätzen in Kombination mit selbstausrichtender Prozesstechnologie, um die Konsistenz der Streifenbreite zu steuern, insbesondere um die zu erhöhen Herstellungsausbeute, auch um die Laserchipkosten zu reduzieren.
Merkmale:
Single-Emitter-Laserdiodenchips (SE) sind der grundlegende Baustein für Halbleiterlasermodule mit hoher Leistung und hoher Helligkeit.
modernste Epitaxie-, Verarbeitungs- und Facettenbeschichtungstechnologie
zuverlässig, effizient und langlebig
Das Material unterstützt sowohl Weichlot (Indium) als auch Hartlot (Gold/Zinn)
Nackte Chips sind die Schlüsselkomponenten beim Laserpumpen, in der industriellen Laserbearbeitung und in der fortgeschrittenen Bearbeitung
Anwendung:
Industrie: Halbleiter für Hochleistungs-Diodenlaser in der direkten Materialbearbeitung, zum Heizen oder Beleuchten. Halbleiter als Pumpquellen für Faser- und Festkörperlaser. Verwendung in der Drucktechnik.
Medizin: Ästhetik, Dermatologie und Chirurgie.
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