1 Laser-Debonding-Technologie
Mit der Entwicklung von Komponenten in Richtung Miniaturisierung und Ultradünnheit ist es schwierig, herkömmliche Verarbeitungsgeräte und traditionelle Verarbeitungstechnologien zu erfüllen, um die hochpräzisen Verarbeitungsanforderungen zu erfüllen.
Die Ultraviolettlaser-Debonding-Technologie erhält einen Laserpunkt fester Größe durch optische Pfadformung und verwendet ein Galvanometer oder eine Plattform zum Scannen der Glaswaferoberfläche. Dadurch verliert das Trennschichtmaterial seine Klebrigkeit und realisiert schließlich die Trennung des Vorrichtungswafers und des Glaswafers.
2 Laserschlitztechnologie
Wenn beim Schneiden von Halbleiterwafern mit Low-k-Materialien auf der Oberfläche ein herkömmliches Messer-Rad-Schneidschema verwendet wird, können leicht Defekte wie Abplatzen, Kräuseln und Ablösen in der Low-k-Schicht erzeugt werden. Die Laserbearbeitungslösung kann die obigen Probleme effektiv vermeiden.
Durch das selbst entwickelte optische Wegesystem wird der Lichtfleck in eine bestimmte Form gebracht, wobei er sich auf die Materialoberfläche konzentriert, um eine bestimmte Rillenform zu erreichen. und unter Verwendung der extrem hohen Spitzenleistung des ultraschnellen Lasers wird das Material direkt vom festen Zustand in den gasförmigen Zustand umgewandelt, wodurch die Wärme stark reduziert wird. Die Aufprallzone ist ein fortschrittlicher Laser-Kaltumformprozess.
3 Lasermodifizierte Schneidtechnologie
Die lasermodifizierte Schneidtechnologie eignet sich für Silizium, Siliziumkarbid, Saphir, Glas, Galliumarsenid und andere Materialien. Durch Fokussieren des Laserstrahls innerhalb der Wafersubstratschicht wird ein Abtasten durchgeführt, um ein internes&"Modifikationsschicht GG" zu bilden; zum Schneiden, und dann werden die benachbarten Kristallkörner durch ein Hackmesser oder einen Vakuumspalt gebrochen.
Die Laserschneidbreite des Lasermodifikationsschneidens ist nahezu Null, was dazu beiträgt, die Breite der Schneidspur zu verringern. Die Modifikation im Inneren des Materials kann die Bildung von Schneidresten unterdrücken und macht einen Leimreinigungsprozess überflüssig. Während des Schneidvorgangs wird der DRA-Autofokus verwendet, und der Fokus wird nach der Änderung der Filmdicke automatisch in Echtzeit angepasst, um sicherzustellen, dass die Tiefe der Laserfokussierung und -reformierungsschicht des Reformier- und Schneidvorgangs konsistent ist.
4 TGV-Technologie
Bei der TGV-Technologie werden vertikale Signale von der Innenseite eines abgedichteten Hohlraums erzeugt, indem vertikale Elektroden zwischen Chips und zwischen Wafern hergestellt werden. Die Technologie ist auf dem Gebiet der MEMS-Vakuumverpackungstechnologie auf Waferebene weit verbreitet. Es bietet einzigartige Vorteile in Bezug auf Luftdichtheit, elektrische Eigenschaften, Verpackungskompatibilität und -konsistenz sowie Zuverlässigkeit. Dies ist ein effektiver Weg, um eine Miniaturisierung und eine hohe Integration von MEMS-Geräten zu erreichen.