1 • Vorwärtscharakteristik
In elektronischen Schaltungen, die Anode der Diode am heißen Ende, negativ am unteren Ende, wird die Diode diese Verbindung leiten, bekannt als die Vorwärts-Bias. Muss gesagt werden, wenn die Diode Vorwärtsspannung sehr klein ist, Diode kann immer noch nicht passieren, Vorwärtsstrom fließt durch die Diode ist sehr schwach. Nur wenn die Spannung einen bestimmten Wert erreicht (dieser Wert wird als "Schwellenspannung" GE Rohr ist etwa 0,2V, Silizium ist etwa 0,6V), die Diodenleitung. Die Breakover-Diodenspannungen bleiben im Wesentlichen unverändert (GE-Rohr ist ca. 0,3V, Siliziumrohr ist ca. 0,7V), bezeichnet als Dioden-"Druckabfall".
2 • Reverse-Charakteristik
In elektronischen Schaltungen, die Anode der Diode am kühlen Ende, negativ am heißen Ende, wenig Strom in der Diode, und Diode in einem Zustand wie zu diesem Zeitpunkt, diese Form der Verbindung, bekannt als umgekehrte Vorspannung. Wenn die Diode umgekehrt voreingenommen ist, wird es immer noch einen schwachen Rückstromdurchströmen durch die Diode geben, der als Leckstrom bekannt ist. Wenn die Diode-Umkehrspannung auf einen bestimmten Wert erhöht wird, erhöht sich der Umkehrstrom erheblich, die Diode verliert die Einwegleitfähigkeit, dieser Zustand wird als Abbau der Diode bezeichnet. Der injizierte Strom muss größer sein als die kritische Stromdichte der Laserdiode, Laser-zu-umkehr-Bedingungen werden erfüllt und ausgegeben. Kritische Stromdichte und Oberflächentemperatur und indirekt profitieren. Hochtemperatur-Operationen, kritischer Stromanstieg, Rentabilität und Abnahme oder sogar Beschädigung von Komponenten.