Der von Brandnew unabhängig entwickelte Hochleistungs-9XXnm-Laserchip verwendet ein optimiertes epitaktisches Strukturdesign und eine spezielle Technologie zur Oberflächenbehandlung von Hohlräumen, um seine Ausgangsleistung, Effizienz und Zuverlässigkeit zu verbessern. Es hat die Eigenschaften einer hohen Umwandlungseffizienz und einer langen Lebensdauer. Die Breite der Lichtemissionsfläche des Chips&beträgt 90 bis 180 um, die Ausgangsleistung kommerzieller Produkte kann 14 W bis 20 W erreichen, die Halbpeakbreite beträgt weniger als 4 nm und die Umwandlungseffizienz kann 65% erreichen. Die technischen Indikatoren sind im Inland führend, und einige Indikatoren haben das internationale erstklassige Niveau erreicht.
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