Der sogenannte Einzelemitter ist das, was wir oft als „Laserchip“ bezeichnen. Sein Herstellungsprozess ist derselbe wie der eines Halbleiterchips, der eine Reihe von Prozessen durchläuft, wie z. B. die Herstellung von Siliziumwafern, das IC-Design, die IC-Herstellung, die IC-Versiegelung und das Testen. Der endgültige Chip wird als Einzeldiodenlaser bezeichnet. Der Laserbarren kann als ein einzelner Laserbarren betrachtet werden, der aus mehreren einzelnen Halbleiteremittern nebeneinander besteht und als Barren bezeichnet wird. Im Wesentlichen wird es durch den Aufbau einer Reihe einzelner Halbleiterlaser-Emitter auf demselben Substrat gebildet, was auch als linearer Array-Laser bezeichnet werden kann. Vereinfacht gesagt sind mehrere Einzelemitter in einer Leiste angeordnet, und eine Leiste kann in mehrere Einzelemitter unterteilt werden.
Der einzelne Laseremitter hat nur einen Leuchtpunkt, was eine einfache Faserkopplung ermöglicht. Daher wird es häufig als Pumpquelle für Faserlaser (meist mittlerer und niedriger Leistung) verwendet, wodurch die gegenseitige Beeinflussung thermischer Effekte wirksam verringert werden kann und es leicht zu reparieren, zu warten und auszutauschen ist. Darüber hinaus ist die Antriebsstromquelle mit hoher Spannung und niedrigem Strom einfach aufgebaut und kostengünstig; Der Laserbarren verfügt aufgrund seiner vielen Leuchtpunkte über eine höhere Lichtleistung und wird daher häufig als Pumpquelle oder Direktlumineszenz von Hochleistungsfaserlasern und allen Festkörperlasern verwendet. Es wird auch häufig in der Medizin, im Militär und in anderen Bereichen eingesetzt. Derzeit kann die maximale Leistung einer einzelnen Laserröhre in China 20 W erreichen, während der Laserbarren eine Leistung von 300 W oder mehr erreichen kann.
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